CAMARA DE TRATAMIENTO POR PLASMA Y DISPOSITIVO QUE UTILIZA DICHA CAMARA DE TRATAMIENTO.

摘要

LA CAMARA DE PROCESO (2) PARA UN APARATO DE DEPOSICION AUMENTADA DE VAPORES QUIMICOS ES DEL TIPO ADAPTADO PARA RECIBIR ENERGIA ELECTROMAGNETICA POR ACOPLAMIENTO INDUCTIVO DESDE UN INDUCTOR EXTERIOR (4) CONECTADO A UNA FUENTE DE CA (6), PARA AUMENTAR O SOSTENER UN PLASMA. DENTRO DE LA CAMARA DE PROCESO, SE PROPORCIONAN UNOS MEDIOS CONDUCTORES (16), DISPUESTOS A UNA DISTANCIA PREDETERMINADA (D) DE LA SUPERFICIE INTERIOR DE AL MENOS PARTE DE SUS PORCIONES DE PARED ENVOLVENTE, DE MANERA QUE INHIBA EL REVESTIMIENTO DE MATERIAL DE DEPOSICION DE VAPOR SOBRE ESTA SUPERFICIE DE PARED INTERNA. LOS MEDIOS CONDUCTORES PUEDEN ADOPTAR LA FORMA DE UNA ESTRUCTURA CONDUCTORA QUE TIENE UNA SUPERFICIE EXTERIOR QUE SIGUE UN CONTORNO DE AL MENOS PARTE DE LAS PORCIONES DE PARED QUE FORMAN LA CAMARA DE PROCESO. LA ESTRUCTURA CONDUCTORA PUEDE COMPRENDER ABERTURAS (18) PARA FACILITAR EL PASO DE ENERGIA ELECTROMAGNETICA AL INTERIOR DE LA CAMARA DE PROCESO.