发明名称 A METHOD TO FORM SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES FOR BORDERLESS CONTACTS IN AN INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 SG103252(A1) 申请公布日期 2004.04.29
申请号 SG20000000146 申请日期 2000.01.11
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 KENNY GOH HUA KOOI;LAP CHAN;YAP KOK SIONG
分类号 H01L21/60;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/00 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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