发明名称 | 盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法,包括盾叶薯蓣的初代培养、生长培养、丛芽增殖培养、生根培养步骤,取盾叶薯蓣一年生植株的幼嫩顶芽和腋芽清洗灭菌进行初代培养,用MS无激素+pH5.8培养基,在光照强度1000LX,光照时间12h/d,温度25±1℃中培养,转入6-BA0.2mg/l+NAA0.01+pH5.8的MS培养基中,再转入激素配比是BA0.2+IAA0.1或NAA0.1的MS培养基中进行丛芽增殖,再转入IAA0.5+NAA0.5的MS生根培养基中,待生根后移栽。解决了因薯蓣茎结构特殊而导致生根困难的问题,同时无性系后代保持与母本优良特性的高度一致性,并实现了组培工厂化生产。 | ||
申请公布号 | CN1147222C | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN01128804.3 | 申请日期 | 2001.08.29 |
申请人 | 中国科学院昆明植物研究所 | 发明人 | 罗桂芬;胡虹;吕春朝;许琨;王华 |
分类号 | A01H4/00 | 主分类号 | A01H4/00 |
代理机构 | 云南协立专利事务所 | 代理人 | 马晓青;吴平 |
主权项 | 1、盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法,包括盾叶薯蓣的初代培养、生长培养、丛芽增殖培养、生根培养步骤,其特征是取盾叶薯蓣一年生植株的幼嫩顶芽和腋芽,清洗后,在超菌台上用75%酒精浸泡30s,再用0.1%升汞灭菌5-8min,最后用无菌水冲洗数次,切成带单个腋芽或顶芽的小节,转于初代培养基即MS无激素+PH5.8,在光照强度1000LX,光照时间12h/d,温度25±1℃中培养,把初代培养得到的无菌苗切成带单个腋芽或顶芽的节后,转入6-BA0.2mg/l+NAA0.01+PH5.8的MS培养基中,然后转入激素配比是BA0.2+IAA0.1或NAA0.1的MS培养基中进行丛芽增殖,再转入IAA0.5+NAA0.5的MS生根培养基中,待生根后移栽。 | ||
地址 | 650204云南省昆明市北郊黑龙潭 |