| 发明名称 | 制造薄栅氧化硅层的方法 | ||
| 摘要 | 在将硅衬底(1)装入炉温为第一值的氧化炉中的制造半导体器件的方法中，将氧化炉的温度升高到第二值，对硅衬底实施氧化操作，在硅衬底上生长基本氧化硅层(32)，在实施氧化操作步骤之前生长的初始氧化硅层(31)的厚度与由初始氧化硅层和基本氧化硅层构成的厚度低于40的栅极氧化硅层(3)的厚度之比为20-40％。 | ||
| 申请公布号 | CN1147922C | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
| 申请号 | CN00100780.7 | 申请日期 | 2000.02.03 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小场文博 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：将晶片(1)装入氧化炉中，该氧化炉的温度为第一值；将所述氧化炉的温度从所述第一值升高到比所述第一值高的第二值；对所述硅衬底实施氧化操作，在所述硅衬底上生长基本氧化硅层(32)，其中，在实施所述氧化操作步骤之前生长的初始氧化硅层(31)的厚度与由所述初始氧化硅层和基本氧化硅层构成的整个栅极氧化硅层(3)的厚度之比在20-40％，所述整个栅极氧化硅层的厚度小于40。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||