一种电容器和一种晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种利用不同介电常数的插塞构成的电容器和晶体管及其制造方法，其中低介电常数的插塞是作为元件隔离用，高介电常数的插塞是做为耦合用，例如电容器介电层或栅极绝缘层；本发明还提供了一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成的双轴应变的晶体管和单轴应变的晶体管及其制造方法，若插塞的热膨胀系数比基底大，则于主动区可形成双轴拉伸应变通道的晶体管；若插塞的热膨胀系数比基底小，则于主动区可形成双轴压缩应变通道的晶体管；若于主动区的一相对边形成热膨胀系数较大的绝缘插塞，另一相对边形成热膨胀系数较小的绝缘插塞，则于主动区可形成单轴应变的晶体管。

主权项

1.一种利用不同介电常数的插塞构成的电容器的制造方法，其特征在于，包括：在一基底中形成一第一沟槽和一第二沟槽，其中该第一沟槽至少定义出一电容区，该第二沟槽位于该电容区中，并将该电容区分隔为一第一电极区和一第二电极区；在该第一沟槽中形成一具有第一介电常数的第一插塞；在该第二沟槽中形成一具有第二介电常数的第二插塞，其中该第一介电常数和该第二介电常数不同；以及同时在该基底中的该第一电极区和该第二电极区中分别形成一第一电极板和一第二电极板，其中介于该第一电极板和该第二电极板之间的该具有第二介电常数的第二插塞的深度比该第一和第二电极板的深度深。