使用多层基底中的埋入式电容器的耦接装置

摘要

本发明提出一种耦合器件，包括基底(1)，覆盖所述基底(1)的第一表面的导电层(2)，与所述第一表面相对设置的至少两条电磁耦合线路(3a、3b)，所述至少两条电磁耦合线路中的至少一条由至少一个覆盖层(4、5)覆盖，其中在所述至少两条线路(3a、3b)中至少一条线路的第一端和所述导电层(2)之间连接至少一个电容器(C1、C2、C3、C4)。所述至少一个电容器是接地的埋入式电容器，以便均衡不等相速，否则不等相速会降低诸如多层LTCC中的微带之类不均匀基底结构中侧面耦接结构的性能。于是，本发明能够实现高性能的耦合器件，并且由此提供就宽带性能、大小和成本而论，所有可能设计方案中最好的设计方案。

主权项

1、一种耦合器件，包括：基底(1)，覆盖所述基底(1)的第一表面的导电层(2)，与所述第一表面相对设置的至少两条电磁耦合线路(3a、3b)，所述至少两条电磁耦合线路中的至少一条由至少一个覆盖层(4、5)覆盖，其中在所述至少两条线路(3a、3b)中至少一条线路的第一端和所述导电层(2)之间连接至少一个电容器(C1、C2、C3、C4)。