| 发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种静电放电保护电路，其包含一NPN达林顿电路，以及一N型金属氧化物半导体晶体管。该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于该NPN达林顿电路的输入端，该N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该NPN达林顿电路的控制端，该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该NPN达林顿电路的输出端。 | ||
| 申请公布号 | CN1492505A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
| 申请号 | CN02147198.3 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 郑道;余定政 |
| 分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护电路，其包括：一NPN达林顿电路，其具有一输入端及一输出端，该NPN达林顿电路的输出端接地；以及一N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极连接于该NPN达林顿电路的输入端，该N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该NPN达林顿电路的控制端，该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该NPN达林顿电路的输出端。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园 | ||