发明名称 | 用于制造低反射率薄膜的方法和设备 | ||
摘要 | 通过优化布置在阴极背面的磁控管磁路的摆动速度与基体的移动速度之比,实现一用于以低成本和高的生产率水平制造低反射率薄膜的方法和设备。按照本发明的方法包括:通过分别布置在阴极背面的两个磁控管磁路装置,在布置在具有相同的电位的阴极上的靶的表面上产生闭环磁控管等离子;以及以不超过1/50的相对于基体的移动速度的速度摆动布置在阴极背面的磁控管磁路,从而相应地沿靶的表面移动由于产生磁控管等离子而得到的等离子。按照本发明的设备包括:两个磁控管磁路,它们布置在具有相同的电位的阴极的背面,以便产生各自的磁控管等离子闭环;磁路摆动装置,它用于分别相对于阴极的背面摆动磁控管磁路,从而相应地沿靶的表面移动由于产生磁控管等离子而得到的等离子;以及控制装置,它用于控制磁控管磁路相对于基体的移动速度的摆动速度。 | ||
申请公布号 | CN1492071A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN03158703.8 | 申请日期 | 2003.09.19 |
申请人 | 爱发科股份有限公司 | 发明人 | 太田淳;杉浦功;谷典明;清田淳也;小松孝;新井真 |
分类号 | C23C14/35 | 主分类号 | C23C14/35 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘志平 |
主权项 | 1.一用于通过溅射一靶材在一设置在阴极对面并相对于阴极移动的基体上连续形成低反射率薄膜的方法,该阴极布置在一溅射室中,该靶材用于在基体上形成低反射率薄膜,此方法包括下列步骤:通过分别布置在阴极背面的两个磁控管磁路装置在布置在具有相同的电位的阴极上的靶的表面上产生闭环磁控管等离子;以及以不超过1/50的相对于基体的移动速度的速度摆动具有相同的电位并布置在阴极背面的磁控管磁路,从而相应地沿靶的表面移动由于产生磁控管等离子而得到的等离子。 | ||
地址 | 日本神奈川 |