发明名称 | 开关半导体集成电路 | ||
摘要 | 一种开关半导体集成电路具有控制高频信号通过的开关FET,使开关FET在通-断操作间切换。开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分,它根据外部施加的控制信号来产生开关信号,反相器电路使用结型FET,开关FET的栅极经栅极电阻器连接至反相器电路的输出端,此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连。耦合的高频信号被结型FET的栅与漏间的等效二极管整流而叠加在施于开关FET栅极的DC电压上。 | ||
申请公布号 | CN1492585A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN03107420.0 | 申请日期 | 2003.03.20 |
申请人 | 新日本无线株式会社 | 发明人 | 登坂裕之 |
分类号 | H03K17/00;H01P1/15 | 主分类号 | H03K17/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种开关半导体集成电路,具有开关FET来控制高频信号的导通,由施加于开关FET栅极的开关信号使开关FET在开态和关态间切换,其中开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分,它根据外部供给的控制信号产生开关信号,且开关FET的栅极经栅极电阻器与反相器电路的输出端相连,此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连,从而使耦合的高频信号被结型FET栅与漏间的等效二极管整流,并叠加在施加于开关FET栅极的DC电压上。 | ||
地址 | 日本东京 |