| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供具备特性和可靠性优异的电容器的半导体器件。本发明的半导体器件是一种具备半导体基板、包括设置在半导体基板的上方的具有金属性的下部电极、具有金属性的上部电极、设置在下部电极与上部电极之间的电介质区域的电容器的半导体器件，电介质区域包括含有从硅、氧、铪和锆中选择的至少一种元素的第1电介质膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1492510A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
| 申请号 | CN03134849.1 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 清利正弘;奥和田久美 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/822;H01G4/33 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 1.一种具备半导体基板、包括设置在上述半导体基板的上方的具有金属性的下部电极、具有金属性的上部电极、设置在上述下部电极与上部电极之间的电介质区域的电容器的半导体器件，其特征在于：上述电介质区域包括含有从硅和氧和铪和锆中选择的至少一种元素的第1电介质膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||