发明名称 | 去除有机物的方法 | ||
摘要 | 本发明揭示了一种去除光致抗蚀剂的改进了的方法,在该方法中用臭氧和碳酸氢盐或其它合适的自由基清除剂的处理用溶液来处理电子器件用的基片。该方法特别适合于在基片表面上存在某些金属(如铝、铜以及它们的氧化物)的情况下去除光致抗蚀剂。该方法还适用于去除其它有机物。 | ||
申请公布号 | CN1147925C | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
申请号 | CN99805789.4 | 申请日期 | 1999.03.30 |
申请人 | FSI国际股份有限公司 | 发明人 | L·E·卡特;S·L·尼尔森 |
分类号 | H01L21/311;G03F7/42 | 主分类号 | H01L21/311 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 余岚 |
主权项 | 1.一种从电子器件用的基片上去除有机物的方法,该方法包括以下步骤:将臭氧和自由基清除剂源溶解在载体溶剂中得到处理用溶液,直接使用该处理用溶液对具有有机物外露区的基片进行处理,所述自由基清除剂源选自CO2、H2CO3、NH4HCO3、(NH4)2CO3、碳酸氢根离子的盐、碳酸根离子的盐、H3PO4、H2PO4-的盐、HPO42-的盐、PO43-的盐、乙酸、丙酮、叔丁醇、烷烃中的任意一种或其组合,所述处理用溶液的pH范围是5-10,条件是当自由基清除剂源包含H3PO4、H2PO4-的盐、HPO42-的盐、PO43-的盐中的任意一种或其组合时,处理用溶液的pH值为6-10。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |