| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置及重写方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种非易失性半导体存储装置，包括：存储阵列，包括多个存储单元，其中所述多个存储单元中的每一个均能够存储与其电压相关的多个数据值，所述多个数据值包括与第一电压范围相对应的第一数据值和与第二电压范围相对应的第二数据值，并将所述第一数据写入所述多个存储单元的一个存储单元中；确定部分，用于确定所述一个存储单元的电压值是否高于或低于设置在所述第一电压范围的最大值和最小值之间的参考值；以及重写部分，根据所述确定部分的确定结果，将所述第一数据重新写入到所述一个存储单元中，从而扩大所述一个存储单元中的所述第一电压范围和所述第二电压范围之间的余量。 | ||
| 申请公布号 | CN1492446A | 申请公布日期 | 2004.04.28 |
| 申请号 | CN03156685.5 | 申请日期 | 2003.09.05 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 田中嗣彦 |
| 分类号 | G11C16/02;G11C16/06;G11C11/56 | 主分类号 | G11C16/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1、一种非易失性半导体存储装置，包括：存储阵列，包括多个存储单元，其中所述多个存储单元中的每一个均能够存储与其电压相关的多个数据值，所述多个数据值包括与第一电压范围相对应的第一数据值和与第二电压范围相对应的第二数据值，并将所述第一数据写入所述多个存储单元的一个存储单元中；确定部分，用于确定所述一个存储单元的电压值是否高于或低于设置在所述第一电压范围的最大值和最小值之间的参考值；以及重写部分，根据所述确定部分的确定结果，将所述第一数据重新写入到所述一个存储单元中，从而扩大所述一个存储单元中的所述第一电压范围和所述第二电压范围之间的余量(margin)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||