发明名称 输出电路
摘要 本发明提供的输出电路能够作全信号变化输出,同时在连接多个输出的应用场合,即使供给大小不同的电源电位也能防止电源之间电流的流通。其输出级由P沟道和N沟道NOS晶体管P1、N1组成,产生用来驱动二个MOS的晶体管栅极的控制信号的产生装置则由“与非”门、“或非”门NOR1和反相器INV1来构成。输出级的P沟道晶体管P1其源极和栅基在电位上是分隔开的,在此MOS晶体管P1的栅基与栅极之间连接以P沟道MOS晶体管P8的源极、漏极。
申请公布号 CN1492587A 申请公布日期 2004.04.28
申请号 CN02106949.2 申请日期 1995.02.16
申请人 株式会社东芝 发明人 茂原宏;衣笠昌典
分类号 H03K19/0175 主分类号 H03K19/0175
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 叶恺东
主权项 1.一种输出电路,可以在驱动模式驱动输出端子(Y),并在高阻抗模式将上述输出端子设定在高阻抗状态,其特征在于包括:第一高电位节点,施加以第一高电位;第一和第二基准电位节点,分别施加以第一和第二基准电位;第一MOS晶体管(P1),具有在源极和连接在上述第一高电位节点和上述输出端子(Y)之间的漏极之间的电流通路,栅极和栅基;前置驱动器电路(22,NAND2),具有输出节点,用以产生驱动上述第一MOS晶体管(P1)栅极的电位;第一筏道闸门(P15),连接于上述前置驱动器电路(22,NAND2)的上述输出端点和上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅极之间;第二筏道闸门(N3),连接于上述前置驱动器电路(22,NAND2)的上述输出端点和上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅极之间;第三筏道闸门(P8),连接于上述第一MOS晶体管(P1)的上述栅基和上述栅极之间;和控制电路(P9,N2,NAND1,INV2),施加以第一和第二基准电位和上述输出端子的电位;用以根据控制信号(/EN),施加为使上述第一筏道闸门(P15)导通所必要的、上述输出端子(Y)的电位或第二基准电位至上述第一阀道闸门;用以当第二基准电位施加于上述第一筏道闸门(P15)时,根据控制信号,施加为使上述第二筏道闸门(N3)导通所必要的第一基准电位至上述第二筏道闸门;和用以当上述输出端子(Y)的电位施加于上述第一筏道闸门(P15)时,根据控制信号,施加为使上述第二筏道闸门(N3)不通导所必要的电位至上述第二筏道闸门;其中,在上述高阻抗模式,当一个高于上述第一高电位的电位被施加于上述输出端子(Y)时,上述控制电路(P9,N2,NAND1,INV2)将上述输出端子(Y)的电位施加于上述第一筏道闸门(P15),将使上述第二筏道闸门(N3)不通导的必要的电位施加于上述第二筏道闸门,和将使上述第三筏道闸门(P8)导通的必要的电位施加于上述第三筏道闸门;和在上述驱动模式,当使上述第一和第二筏道闸门(P15,N3)分别导通的电位,分别被施加于上述第一和第二筏道闸门时,上述控制电路将使上述第三筏道闸门(P8)不导通的电位施加于上述第三通筏道闸门。
地址 日本神奈川县川崎市