AlGaInP发光二极管组件

摘要

本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al₂O₃形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al₂O₃第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。

主权项

1.一种AlGaInP发光二极管组件，其特征在于，其包括：具一第一导电性的一半导体基底；具该第一导电性的一再发光层于该半导体基底上；具该第一导电性及一第一掺质浓度的一AlGaInP层于该再发光层上；具该第一导电性及一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层于该AlGaInP层上，该第二掺质浓度小于该第一掺质浓度；一未掺杂AlGaInP主动层于该AlGaInP下局限层上；具电性相反于该第一导电性的一第二导电性的一AlGaInP上局限层于该未掺杂AlGaInP主动层上；具该第二导电性的一窗户层于该AlGaInP上局限层上；具该第二导电性的一环形顶部电极于该窗户层上；及具该第一导电性的一层状底部电极于该半导体基底下方。