含多级单元的快擦存储器的读出电路

摘要

确定具有两种以上可能状态的存储单元的状态的方法和装置得以公开。在第一实施方案中，具有n种状态的快擦单元(401)，其中n是2的乘方，其状态通过把所选存储单元的阈值电压Vt有选择地和(n-1)个参考电压进行比较而得到确定。对每两种状态使用一个比较器(460和470)，这样比较器的总数等于存储单元中所存的比特数。

主权项

1.在含有至少一个快擦型电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元(401)的快擦存储器件中，该只读存储器单元具有n比特以表示2n 种状态，每个状态对应于单元电荷量的一段预定范围，其中快擦型电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元(401)的电荷量被检测，一种用于确定快擦EEPROM(401)单元的状态的方法，该方法包括以下步骤：a)用第一比较器(460)将快擦EEPROM单元(401)的单元电荷量与所选的第一参考单元(486)的参考单元电荷量相比较；b)从第一比较器(460)输出步骤b)的结果(490)，表示快擦EEPROM单元(401)中n比特的第一个；c)将步骤a)的结果(490)送到选择器电路(480)的输入端，选择器电路(480)选择第二参考单元(487)和第三参考单元(488)之一，其中在第二(487)和第三(488)参考单元之间的选择响应步骤b)的结果作出，如果快擦EEPROM(401)的电荷量小于所选的第一参考单元(486)的参考电荷量，则第二参考单元(487)被选中，如果快擦EEPROM单元(401)的单元电荷量大于所选的第一参考单元(486)的参考电荷量，则第三参考单元(488)被选中；d)用第二比较器(470)比较快擦EEPROM单元(401)的单元电荷量和在第二(487)与第三(488)参考单元中选出的一个的单元电荷量；和e)从第二比较器(470)输出步骤d)的结果，表示快擦EEPROM单元的n比特的第二个，其中第一比较器(490)继续输出步骤a)的结果，而步骤c)、d)和e)这样完成，即，使得第一比较器(460)输出n比特的第一个而同时第二比较器(470)输出n比特的第二个，以表示快擦EEPROM单元(401)的状态。