发明名称 |
磁头及具有该磁头的磁存储装置 |
摘要 |
本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头,它具有优异的高频特性,无需任何热处理易于形成磁畴结构,因此,提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77-82%,Fe为15-21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为-1×10<SUP>-6</SUP>≤λs≤1×10<SUP>-6</SUP>。 |
申请公布号 |
CN1147884C |
申请公布日期 |
2004.04.28 |
申请号 |
CN99126710.9 |
申请日期 |
1999.12.14 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
小田切充;竹房早奈江;三宅裕子 |
分类号 |
H01F10/14;H01F1/147;G11B5/31 |
主分类号 |
H01F10/14 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种磁头,包括磁极层,其形状使之产生压应力,所述磁极层由Ni、Fe和Mo构成的磁性材料形成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77~82%,Fe为15~21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤0。 |
地址 |
日本神奈川 |