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Eine Halbleitervorrichtung (1) beinhaltet ein Halbleitersubstrat (2), einen Zwischenlagen-Isolationsfilm (13), der auf dem Halbleitersubstrat (2) ausgebildet ist, eine erste Anschlussfläche (5C), eine zweite Anschlussfläche (5D) und einen Leiter (15). Die erste Anschlussfläche (5C) ist auf dem Zwischenlagen-Isolationsfilm (13) ausgebildet und ihre Begrenzungsränder sind mit einem ersten Oberflächenschutzfilm (11aC) bedeckt. Die zweite Anschlussfläche (5D) ist auf dem Zwischenlagen-Isolationsfilm (13) jenseits eines zweiten Oberflächenschutzfilms (11b) der ersten Anschlussfläche (5C) gegenüberliegend ausgebildet und ihre Begrenzungsränder sind mit einem dritten Oberflächenschutzfilm (11aD) bedeckt. Der Leiter (15) ist ohne Unterbrechung auf der ersten Anschlussfläche (5C), dem ersten bis dritten Oberflächenschutzfilm (11aC, 11b, 11aD) und der zweiten Anschlussfläche (5D) vorgesehen. |
