| 主权项 |
1.一种磁性记录媒体,包括:一基材;在基材上之一磁性记录层,包含第一和第二层的反铁磁耦合(AFC)层,和分隔此二AFC层的一非铁磁垫片层,每一AFC层包含一第一铁磁薄膜、一第二铁磁薄膜以及介于第一及第二薄膜之间的一反铁磁耦合薄膜,此反铁磁耦合薄膜具有之厚度及成份足以提供第一和第二薄膜的反铁磁耦合,非铁磁垫片层位于第一AFC层的第二薄膜和第二AFC层的第一薄膜之间,此非铁磁垫片层具有之厚度及成份足以防止第一AFC层的第二薄膜和第二AFC层的第一薄膜之间任何明显的耦合。2.如申请专利范围第1项之媒体,进一步包含一第三AFC层及位于第二AFC层的第二薄膜和第三AFC层的第一薄膜之间的一第二非铁磁垫片层,其具有之厚度及成份足以防止第二AFC层的第二薄膜和第三AFC层的第一薄膜之间任何明显的耦合。3.如申请专利范围第1项之媒体,其中第一AFC层的第一铁磁薄膜具有一厚度t1以及一磁化强度M1,第一AFC层的第二铁磁薄膜具有一厚度t2以及一磁化强度M2,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜的每单位面积磁性力距(M1t1)和(M2t2)为互不相同。4.如申请专利范围第3项之媒体,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜是由相同材料形成,且t1与t2不同。5.如申请专利范围第3项之媒体,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜是由不同材料形成,且t1与t2实质上是相同厚度。6.如申请专利范围第1项之媒体,其中一AFC层的反铁磁耦合薄膜系由是选自钌(Ru)、铬(Cr)、铑(Rh)、铱(Ir)、铜(Cu)及它们的合金所组成群组之材料所形成。7.如申请专利范围第1项之媒体,其中每一AFC层的第一和第二铁磁薄膜的材料系由选自Co、Fe、Ni及它们的合金所组成群组之材料制成。8.如申请专利范围第1项之媒体,其中某一AFC层之第一铁磁薄膜包含一介面薄膜,此介面薄膜实质上包含钴,并位于第一铁磁薄膜与反铁磁耦合薄膜的介面。9.如申请专利范围第1项之媒体,其中某一AFC层之第二铁磁薄膜包含一介面薄膜,此介面薄膜实质上包含钴,并位于第二铁磁薄膜与反铁磁耦合薄膜的介面。10.如申请专利范围第1项之媒体,进一步包含一基础层,位于基材和磁性记录层之间的基材上。11.如申请专利范围第1项之媒体,进一步包括一保护外套,形成覆盖于磁性记录层之上。12.一种磁性记录磁碟,包括:一基材;一基材上之基础层;在基础层上之一磁性记录层,包含第一和第二层的反铁磁耦合(AFC)层,和分隔此二AFC层的一非铁磁垫片层,每一AFC层包含一第一钴合金铁磁薄膜、一第二钴合金铁磁薄膜以及介于第一及第二薄膜之间并与之接触的一反铁磁耦合薄膜,其材料是选自钌(Ru)、铬(Cr)、铑(Rh)、铱(Ir)、铜(Cu)及它们的合金所组成之群组,且其厚度足以诱发第二薄膜与第一薄膜反铁磁耦合,非铁磁垫片层位于第一AFC层的第二薄膜和第二AFC层的第一薄膜之间,其具有厚度及成份足以防止第一AFC层的第二薄膜和第二AFC层的第一薄膜之间任何明显的耦合。13.如申请专利范围第12项之磁碟,进一步包含一第三AFC层,及位于第二AFC层的第二薄膜和第三AFC层的第一薄膜之间的一第二非铁磁垫片层,其具有之厚度及成份足以防止第二AFC层的第二薄膜和第三AFC层的第一薄膜之间任何明显的耦合。14.如申请专利范围第12项之磁碟,其中第一AFC层的第一铁磁薄膜具有一厚度t1以及一磁化强度M1,第一AFC层的第二铁磁薄膜具有一厚度t2以及一磁化强度M2,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜的每单位面积磁性力距(M1t1)和(M2t2)为互不相同。15.如申请专利范围第14项之磁碟,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜是由相同材料形成,且其中t1与t2不同。16.如申请专利范围第14项之磁碟,其中第一AFC层的第一和第二铁磁薄膜是由不同材料形成,且t1与t2实质上是相同厚度。17.如申请专利范围第12项之磁碟,其中某一AFC层之第一铁磁薄膜包含一介面薄膜,此介面薄膜实质上包含钴,并位于第一铁磁薄膜与反铁磁耦合薄膜的介面。18.如申请专利范围第12项之磁碟,其中某一AFC层之第二铁磁薄膜包含一介面薄膜,此介面薄膜实质上包含钴,并位于第二铁磁薄膜与反铁磁耦合薄膜的介面。图式简单说明:图1为依据本发明记录媒体中反铁磁(AF)耦合之磁性记录层的断面图。图2A为AF耦合层之图示,说明在记录磁性转变之时,铁磁薄膜中磁性力距的方向。图2B为依据磁性转变点下行线位置的函数所推算的AF耦合层媒体及单层(SL)媒体上方磁场。图3为本发明磁碟结构之断面图,显示基材、基础层、AF耦合层所含薄膜以及保护外套。图4为图3所示AF耦合层结构的磁滞回线。图5为一先前技艺以传统个别单层做为叠层板中磁性层之层压磁碟结构的断面图。图6为一以AF耦合层做为叠层板中个别磁性层之层压磁碟结构的断面图。 |
