| 主权项 |
1.一种萤光体薄膜,其特征系含有母体材料和发光中心,母体材料为至少含有硷土类元件,Ga及/或In,和硫黄(S),更可含有Al之氧硫化物,或更加上含有氧(O)之氧硫化物,于母体材料中,令硷土类元素以A表示,Ga、In及Al以B表示之时,原子比B/A为B/A=2.1-3.5,于母体材料中,对于氧和硫黄之合计的氧原子比O/(S+O)为O/(S+O)=0.01-0.85,前述发光中心系稀土类元素。2.如申请专利范围第1项之萤光体薄膜,其中,B/A=2.1-3.0。3.如申请专利范围第1项之萤光体薄膜,其中,于母体材料中,对于氧和硫黄之合计的氧原子比O/(S+O)为O/(S+O)=0.1-0.85。4.如申请专利范围第1项之萤光体薄膜,其中,以下述组成式表示者;组成式AxByOzSw:M[惟,M系显示发光中心之金属元素,A系自Mg、Ca、Sr及Ba选择的至少一个元素,B系自Ga、In及Al选择的至少一个元素,B则必定含有Ga及/或In。x=1-5.y=1-15.z=3-30.w=3-30。]5.一种电激发光面板,其特征系具有如申请专利范围第1项-第4项之任一项之萤光体薄膜。6.一种萤光体薄膜之制造方法,属于制造如申请专利范围第1项-第4项之任一项之萤光体薄膜之方法,其特征系具有形成硫化物薄膜后,于氧化气氛中,施以退火处理,成为氧硫化物薄膜之工程者。7.一种萤光体薄膜之制造方法,属于制造如申请专利范围第1项-第4项之任一项之萤光体薄膜之方法,其特征系具有做为蒸发源,使用至少含有硷土类元件之硫化物或金属者,和含有Ga硫化物及/或In硫化物者,经由做为反应性气体,使用氧气的反应性蒸着法,形成氧硫化物薄膜之工程。8.一种萤光体薄膜之制造方法,属于制造如申请专利范围第1项-第4项之任一项之萤光体薄膜之方法,其特征系具有做为蒸发源,经由至少使用含有硷土类元件之硫化物或金属者,和含有Ga硫化物及/或In硫化物者的蒸着法,形成硫化物薄膜,于氧化气氛中,施以退火,成为氧硫化物薄膜之工程。9.如申请专利范围第7项之萤光体薄膜之制造方法,其中,于含有硷土类硫化物的蒸发源,含有发光中心。10.如申请专利范围第8项之萤光体薄膜之制造方法,其中,于含有硷土类硫化物的蒸发源,含有发光中心。图式简单说明:图1系显示使用于本发明之制造方法之蒸着装置之构成例的概略截面图。图2系显示切出双重绝缘型构造之无机EL元件之一部分的斜视图。图3系显示实施例1之EL元件之发光光谱的图表。图4系显示实施例4之EL元件之发光光谱的图表。图5系对于以实施例6所制作之EL元件,显示萤光体薄膜之原子比Ga/Sr的亮度的关系图。 |
