| 主权项 |
1.一种布线形成方法,其特征在于:包括以下之制程:制程(a),于基板上之绝缘膜内形成通孔;制程(b),上述通孔内及上述绝缘膜上面形成感光性覆盖材料;制程(c),对上述感光性覆盖材料加以图案化,而形成具有包括上述通孔之开口部之槽沟形成用覆盖图案;制程(d),以上述光罩图案,将上述绝缘膜蚀刻至预定之深度,而于上述绝缘膜之上部形成和上述通孔相连接之槽沟图案;制程(e),于上述制程(d)后,除去光罩图案后,于上述通孔及上述槽沟图案内充填导电性材料;制程(f),于上述制程(d)之前形成上述光罩图案,以便上述感光性覆盖材料不残留于上述通孔内较上述槽沟图案之底部更往上之空间。2.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(c),以使上述绝缘膜上所形成之上述感光性覆盖材料之膜厚感光所需要之曝光量对上述感光性覆盖材料曝光后,再对已曝光之感光性覆盖材料加以显影,而由上述感光性覆盖材料形成上述光罩图案。3.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(d)包括:使上述绝缘膜内之上述通孔之上部和上述槽沟图案之底部相连接之连接部份呈圆形之制程。4.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(f)包括:于上述制程(b)中,于上述绝缘膜上形成负性抗蚀剂作为上述感光性覆盖材料;于上述制程(c)中,使上述通孔内所充填之上述负性抗蚀剂之一部分不感光而残留下来,以显影除去未感光之上述负性抗蚀剂之制程。5.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(f)包括:于上述制程(a)与上述制程(b)之间,向上述通孔内充填充填剂之制程;于上述制程(b)中,在充填有上述充填材之上述通孔及上述绝缘膜上,形成上述感光性覆盖材料之制程;于上述制程(c)与上述制程(d)之间,选择性地将上述充填材除去之制程。6.如申请专利范围第5项所记载之布线形成方法,其中于上述制程(c)中,上述通孔内所充填之上述充填材系残留于较上述槽沟图案之底部更往下之空间。7.如申请专利范围第5项所记载之布线形成方法,其中上述感光性覆盖材料为正性抗蚀剂;上述充填材系为可在较上述正性抗蚀剂感光之波长范围宽广之波长范围感光之抗蚀剂。8.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(f)包括:于上述制程(a)与上述制程(b)之间,于上述绝缘膜上形成覆盖上述通孔之开口部之盖膜;于上述制程(b)中,于形成于上述绝缘膜之上述盖膜上,形成上述感光性覆盖材料之制程;于上述制程(d)中,以上述光罩图案对上述盖膜及上述绝缘膜加以蚀刻,而形成上述槽沟图案之制程。9.如申请专利范围第8项所记载之布线形成方法,其中上述盖膜系以阶梯覆盖率低之气相磊晶法形成者。10.如申请专利范围第1项所记载之布线形成方法,其中上述制程(f)包括:于上述制程(a)中,以第1曝光光罩形成上述通孔之制程;于上述制程(c)中藉由施行以下子步骤形成光罩图案:以上述第1曝光光罩曝光上述感光性覆盖材料中位于通孔上之第1部份;再以具有开口之上述第2曝光光罩对上述感光性覆盖材料之第2部分加以曝光,该第2部分系位于上述通孔上并系用以形成槽沟者;对已曝光之感光性覆盖材料加以显影,而形成上述光罩图案。11.如申请专利范围第10项所记载之布线形成方法,其中对使用上述第1曝光光罩对上述感光性覆盖材料之第1部分进行之曝光制程之曝光量加以最佳化,而在上述感光性覆盖材料被显影后,被充填于上述通孔内之上述感光性覆盖材料中之较上述槽沟图案之底部更往下之部份被残留下来。图式简单说明:图1A~图1G系为本发明之第1实施形态所关系之布线形成方法之示意图,依制程顺序之断面构成。图2A~图2H系为本发明之第2实施形态所关系之布线形成方法之示意图,依制程顺序之断面构成。图3A~图3G系为本发明之第3实施形态所关系之布线形成方法之示意图,依制程顺序之断面构成。图4A~图4G系为本发明之第4实施形态所关系之布线形成方法之示意图,依制程顺序之断面构成。图5A~图5F系为习知之布线形成方法,即双金属镶嵌法所关系之依制程顺序之断面构成。 |
