| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有:至少一个岛部;固定于前述岛部表面之半导体元件;从前述岛部近旁朝外侧延伸之复数引线以及自前述岛部的角部连续而朝外侧延伸之悬引线;一体覆盖前述岛部、前述半导体元件、前述引线以及前述悬引线之树脂密封体,其特征为:前述引线的一端系以与前述树脂密封体的背面大致同一平面的方式露出,前述树脂密封体的背面在前述引线之露出面所包围的领域的至少一部份具有凹部。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在从前述树脂密封体露出之前述引线间硬化的树脂以及在从前述树脂密封体露出之前述引线与前述悬引线之间硬化的树脂的厚度,系具有与前述引线架的厚度大致相同的厚度。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,由前述引线、前述悬引线以及前述硬化树脂的表面所形成的外周面系与前述树脂密封体侧面连续而形成,且前述外周面系为包围前述树脂密封体之大致同一的平坦面。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之半导体装置,其中,前述引线的一端以及前述悬引线的一端,在前述树脂密封体的背面侧具有冲切面。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述岛部背面系位于前述树脂密封体的表面,前述岛部背面之至少一部份系从前述树脂密封体之表面露出,且前述岛部背面与前述树脂密封体的表面系形成大致同一平面。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述悬引线的一端的背面系露出于前述树脂密封体之与背面大致同一平面的角部。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,前述悬引线的露出面系相对于前述凹部而位于外侧,且位于较前述引线的露出面更为外侧的位置。8.一种半导体装置,具有:至少一个岛部;固定于前述岛部表面之半导体元件;从前述岛部近旁朝外侧延伸之复数引线以及自前述岛部的角部连续而朝外侧延伸之悬引线;一体覆盖前述岛部、前述半导体元件、前述引线以及前述悬引线之树脂密封体,其特征为:在从前述树脂密封体露出之前述引线间硬化的树脂以及在从前述树脂密封体露出之前述引线与前述悬引线之间硬化的树脂的厚度,系具有与前述引线架的厚度大致相同的厚度。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,由前述引线、前述悬引线以及前述硬化树脂的表面所形成之外周面系与前述树脂密封体侧面连续而形成,且前述外周面系为包围前述树脂密封体之大致同一的平坦面。10.如申请专利范围第8或第9项之半导体装置,其中,前述引线的一端以及前述悬引线的一端,在前述树脂密封体的背面侧具有冲切面。11.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,前述岛部背面系位于前述树脂密封体的表面,前述岛部背面的至少一部份系从前述树脂密封体的表面露出,且前述岛部背面与前述树脂密封体的表面系形成大致同一平面。12.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,前述悬引线的一端的背面系露出于前述树脂密封体之与背面大致同一平面的角部。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,前述悬引线的露出面系相对于前述凹部而位于外侧,且位于较前述引线之露出面更为外侧的位置。14.一种半导体装置的制造方法,系具备有:准备具有至少一个由至少岛部、引线以及悬引线所构成之搭载部之引线架,且将半导体元件固定于前述引线架之步骤:利用金属细线电性连接前述半导体元件与前述引线,并在各前述搭载部形成树脂密封体之步骤;切断前述引线架,使前述各搭载部之前述树脂密封体各自分离之步骤,其特征为:在形成前述树脂密封体之步骤中,系利用树脂密封模具挟持位于前述树脂密封体端部之前述引线架,并透过设在位于前述挟持面之前述引线架之气孔进行树脂的填充、空气以及树脂的排出。15.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中,在使前述树脂密封体分离的步骤中,系从前述树脂密封体的背面冲切前述引线与前述悬引线。图式简单说明:第1图为用以说明本发明之半导体装置之(A)斜视图(B)平面图。第2图为用以说明本发明之半导体装置之(A)剖面图(B)剖面图。第3图为用以说明本发明之半导体装置之(A)斜视图(B)斜视图。第4图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第5图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第6图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第7图(A)至(C)为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第8图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第9图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第10图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第11(A)至(B)图为用以说明本发明之半导体装置之制造方法之图。第12图为用以说明传统之半导体装置之制造方法之图。第13图为用以说明传统之半导体装置之制造方法之图。第14图为用以说明传统之半导体装置之制造方法之图。第15图为用以说明传统之半导体装置之(A)剖面图(B)剖面图。 |
