| 主权项 |
1.一种主动阵列液晶显示装置,包括:一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,其中该主动阵列液晶显示装置包括一虚拟接触孔配置在相邻之该等端点间之该内层膜中。2.一种主动阵列液晶显示装置,包括:一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,其中该等接触孔具有一直径,大于在该非等向性导电膜中之复数个导电粒子的最大直径。3.一种主动阵列液晶显示装置,包括:一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,其中该等接触孔配置在连接到一外部趋动元件的位置外之区域。4.如申请专利范围第2项所述之主动阵列液晶显示装置,其中该等接触孔和该等端点上的该透明电极之间的表面积比,至少为0.01且不大于0.3。5.如申请专利范围第4项所述之主动阵列液晶显示装置,其中该等接触孔之间的表面积,是为该等接触孔和该等端点上的该透明电极之间的个别表面积之总和。6.如申请专利范围第1项所述之主动阵列液晶显示装置,其中该内层膜为一有机膜,或由一有机膜和一非有机保护膜所形成之一薄膜。7.如申请专利范围第2项所述之主动阵列液晶显示装置,其中该内层膜为一有机膜,或由一有机膜和一非有机保护膜所形成之一薄膜。8.一种用于制造一主动阵列液晶显示装置之方法,其中该主动阵列液晶显示装置包括一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,该方法包括:在相邻排列之该等端点间之该内层膜中形成一虚拟接触孔。9.一种用于制造一主动阵列液晶显示装置之方法,其中该主动阵列液晶显示装置包括一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,该方法包括:形成该等接触孔,该等接触孔具有一直径大于在该非等向性导电膜中之复数个导电粒子的最大直径。10.一种用于制造一主动阵列液晶显示装置之方法,其中该主动阵列液晶显示装置包括一基板;复数个切换元件和复数个像素电极,在该基板上以阵列型排列;复数个扫描线,控制该等切换元件;复数个信号线,供应一资料信号给该等切换元件;复数个端点,电性连接该等扫描和信号线及复数个外部趋动元件,该等端点包括形成该等扫描线或该等信号线之一金属层、形成在该金属层上之一内层膜、和形成该像素电极之一透明电极;复数个接触孔,在该内层膜中,其中该金属层和该透明电极系藉由该等接触孔相互连接;以及一非等向性导电膜,连接该主动阵列型基板至该等外部趋动元件,该方法包括:形成该等接触孔,该等接触孔配置在连接到一外部趋动元件的位置外之区域11.如申请专利范围第9项所述之制造主动阵列液晶显示装置的方法,其中该方法包括:一步骤,建立该等接触孔和该等端点上的该透明电极之间的表面积比,至少为0.01且不大于0.312.如申请专利范围第8项所述之制造主动阵列液晶显示装置的方法,其中该方法包括:形成该内层膜之步骤,其中该内层膜为一有机膜,或由一有机膜和一非有机保护膜所形成之一薄膜。13.如申请专利范围第9项所述之制造主动阵列液晶显示装置的方法,其中该方法包括:形成该内层膜之步骤,其中该内层膜为一有机膜,或由一有机膜和一非有机保护膜所形成之一薄膜。图式简单说明:第1(a)图、第1(b)图和第1(c)图系分别绘示根据本发明第一实施例之端点部份的平面图、A-A'和B-B'方向的剖面图。第2(a)图和第2(b)图系分别绘示根据本发明第一实施例之主动阵列液晶显示装置之整体图和A-A'方向的剖面图。第3(a)图、第3(b)图和第3(c)图系分别绘示根据本发明第二实施例之端点部份的平面图、A-A'和B-B'方向的剖面图。第4(a)图、第4(b)图和第4(c)图系分别绘示根据本发明第三实施例之端点部份的平面图、A-A'和B-B'方向的剖面图。第5(a)图和第5(b)图系分别绘示进行端点实验之端点的平面图和剖面图。第6(a)图和第6(b)图系分别绘示进行端点实验之端点的平面图和剖面图,其中第6(b)图并表示出具有不良之电性接触的示意图。第7(a)图和第7(b)图系分别绘示进行端点实验之端点的平面图和剖面图。第8图系表示有机膜上之导电粒子停留的个数与接触孔距离的关系。第9图系表示TAB和端点间之电阻与接触孔距离的关系。第10图系表示TAB和端点间之电阻与导通率的关系。第11(a)图和第11(b)图系绘示习知之液晶显示装置的图示和等效电路。第12(a)图和第12(b)图系绘示习知之液晶显示装置的单元元件图示。第13(a)图至第13(c)图系绘示习知之液晶显示装置的端点图示。第14(a)图和第14(b)图系绘示美国专利案号5,641,974的单元端点图示。第15(a)图至第15(d)图系绘示日本专利案号9-323423的制造流程图示。 |
