| 主权项 |
1.一种接触窗的制造方法,包括:提供一基板,该基板上已形成有一第一导电层,该第一导电层上已形成有一介电层,且该介电层中已形成有一接触窗开口,暴露出该第一导电层;在暴露的该第一导电层之表面上形成一导电奈米粒子层;以及在该接触窗开口内形成一第二导电层,覆盖该导电奈米粒子层。2.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该导电奈米粒子层包括一金属奈米粒子层。3.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该导电奈米粒子层包括一矽奈米粒子层。4.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该导电奈米粒子层中之奈米粒子之尺寸系小于100奈米。5.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中在形成该导电奈米粒子层之后,更包括进行一回火制程。6.如申请专利范围第5项所述之接触窗的制造方法,其中该回火制程之温度系介于摄氏50度至300度。7.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中形成该导电奈米粒子层之方法包括一静电吸附法,该静电吸附法之步骤包括:将已形成有该接触窗开口之该基板浸于一溶液中,该溶液中系包括分散的复数个导电奈米粒子;以及通入一直流电,以使该些导电奈米粒子吸附在该第一导电层之表面,而形成该导电奈米粒子层。8.如申请专利范围第7项所述之接触窗的制造方法,其中在该溶液中更包含有一界面活性剂。9.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中形成该导电奈米粒子层之方法包括一电沈积法,该电沈积法之步骤包括:在该介电层上形成一图案化之光阻层,暴露出该接触窗开口;将上述所形成之结构浸于一电镀液中,该电镀液中系包括分散的复数个导电奈米粒子;以及以该基板为阳极,并且以一金属电极为阴极,进行一电镀步骤,以在该第一导电层之表面形成该导电奈米粒子层。10.如申请专利范围第9项所述之接触窗的制造方法,其中在该溶液中更包含有一界面活性剂。11.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中形成该导电奈米粒子层之方法包括一自我排列吸附法,该自我排列吸附法之步骤包括:将已形成有该接触窗开口之该基板浸于一含有复数个自我排列分子之溶液中,以使该些自我排列分子吸附在该第一导电层之表面;以及将该基板浸于一溶液中,其中该溶液中系包括分散的复数个导电奈米粒子,该些导电奈米粒子会吸附于该些自我排列分子上,而形成该导电奈米粒子层。12.如申请专利范围第11项所述之接触窗的制造方法,其中在该溶液中更包含有一界面活性剂。13.一种半导体元件之结构,包括:一导电层,配置在一基板上;一介电层,配置在该导电层上;一接触窗,配置在该介电层中,该接触窗系与该导电层电性连接;以及一导电奈米粒子层,配置在该导电层以及该接触窗之间。14.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之结构,其中该导电奈米粒子层包括一金属奈米粒子层。15.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之结构,其中该导电奈米粒子层包括一矽奈米粒子层。16.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之结构,其中该导电奈米粒子层中之奈米粒子之尺寸系小于100奈米。17.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之结构,其中该导电奈米粒子层系为一致密化之奈米粒子薄膜。18.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之结构,其中该导电层之材质包括铝。图式简单说明:第1A图至第1D图是依照本发明一较佳实施例之接触窗的制造流程剖面示意图;第2A图至第2D图是依照本发明另一较佳实施例之接触窗的制造流程剖面示意图;以及第3A图至第3D图是依照本发明另一较佳实施例之接触窗的制造流程剖面示意图。 |
