| 主权项 |
1.一种在一电浆制程处理室内形成氮化矽的方法,该方法至少包含:结合一流率100至250sccm的氩(Ar)、一流率100至500sccm的氮(N2)以及一流率10至80sccm的矽烷(SiH4)于一电浆中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结合步骤更包含:维持一工作部件于摄氏250至500度。3.如申请专利范围第2项所述之方法,更包含:施加一1000至4800瓦特的电感来源功率至一第一个电感耦合线圈。4.如申请专利范围第3项所述之方法,更包含:施加一1000至4800瓦特的电感来源功率至一第二个电感耦合线圈。5.如申请专利范围第4项所述之方法,更包含:维持一介于4至15毫托耳的总气体压力。6.一种储存有复数个指令于其上的电脑可读性媒介,该复数个指令包含指令,当指令藉由一处理器执行时,将导致该处理器去控制一半导体晶圆制程处理室,以进行一操作:结合氩(Ar)、氮(N2)以及矽烷(SiH4)于一电浆中,其中该结合步骤包含:供应一流率100至250sccm的氩(Ar);供应一流率100至500sccm的氮(N2);以及供应一流率10至80sccm的矽烷(SiH4)。7.如申请专利范围第6项所述之电脑可读性媒介,其中更包含:维持一介于4至15毫托耳的总气体压力。8.如申请专利范围第7项所述之电脑可读性媒介,更包含:维持一工作部件于摄氏250至500度。9.如申请专利范围第8项所述之电脑可读性媒介,更包含:施加一1000至4800瓦特的电感来源功率至一第一个电感耦合线圈。10.如申请专利范围第9项所述之电脑可读性媒介,更包含:施加一1000至4800瓦特的电感来源功率至一第二个电感耦合线圈。图式简单说明:第1图描绘出一电浆制程设备示意图,该设备即是本发明用以实习沉积制程的类型。第2图描绘出本发明制程的流程图;且第3图为一表格,总结利用第1图之设备实习本发明方法时的制程参数。 |
