| 主权项 |
1.一种倒装晶片发光二极体之结构,其包含:一个实质平面发光区域能够发射波长n辐射;及,至少一补偿群反射平面,其中该至少一补偿群的每一者包含:i)至少一隆起区域,具有至少一隆起表面,其实质平行于该发光区域平面并反射该至少一部分辐射,其中该至少一隆起表面是位在至少一隆起平面,而且其中将该至少一隆起平面每一者与每个其他隆起平面分离的距离是(n/2)的整数倍;及,ii)至少一凹处区域,具有至少一凹处表面其实质平行于该发光区域平面并反射该至少一部分辐射,其中该至少一凹处表面是位在至少一凹处将平面,而且其中将该至少一凹处平面每一者与每个其他凹处平面分离的距离是(n/2)的整数倍;及,iii)其中将该等隆起平面每一者与该等凹处平面每一者分离是(n/4)的奇数整数倍。2.如申请专利范围第1项之结构,其中在该至少一补偿群每一者中的该至少该一隆起表面的总面积与该至少一凹处表面的总面积是实质相等。3.如申请专利范围第1项之结构,其中该至少该一补偿群包含单一补偿群。4.如申请专利范围第3项之结构,其中该至少一隆起平面是位在实质该相同平面。5.如申请专利范围第3项之结构,其中该至少一凹处平面是位在实质该相同平面。6.如申请专利范围第3项之结构,其中该至少一隆起区域的该至少一表面是金属。7.如申请专利范围第3项之结构,其中该至少一凹处区域的该至少一表面是金属。8.一种用以减少倒装晶片发光二极体的远场辐射图案变化之方法,其包括:a)提供一实质平面发光区域,能够发射辐射波长n;b)提供至少一补偿群的反射平面,其中该至少一补偿群的每一者包含:i)至少一隆起区域,具有至少一隆起表面,其实质平行于该发光区域平面并且反射该至少一部分辐射,其中该至少一隆起表面是位在至少一隆起平面,而且其中将该至少一隆起平面每一者与每个其他隆起平面分离的距离是(n/2)的整数倍;及,ii)至少一凹处区域,具有至少一凹处表面,其实质平行于该发光区域平面并且反射该至少一部分辐射,其中该至少一凹处表面是位在至少一凹处将平面,而且其中将该至少一凹处平面每一者与每个其他凹处平面分离的距离是(n/2)的整数倍;及,iii)其中将该等隆起平面每一者从该等凹处平面每一者分离是(n/4)的奇数整数倍,及c)活化该发光区域,使得该发光区域发射辐射波长n。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在该至少一补偿群每一者中的该至少该一隆起表面的总面积与该至少一凹处表面的总面积是实质相等。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该至少该一补偿群包含单一补偿群。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该至少一隆起平面是位在实质该相同平面。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该至少一凹处平面是位在实质该相同平面。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该至少一隆起区域的该至少一表面是金属。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该至少一凹处区域的该至少一表面是金属。15.如申请专利范围第8项之方法,其系用于产生依制造物件之辐射。图式简单说明:图1是一典型倒装晶片LED结构截面图,包括透明基材、GaN基层、光产生的主动区域、相邻厚度d欧姆接触的层、与反射欧姆接触。图2是以描述(以毫微米为单位)提供,而于不同距离d的从图1所述LED发射的光通量角分布。光通量单位可以是任意的。图3是两阶结构反射接触的截面图。图4是从图3描述的LED所发射光强度的角分布。光通量单位是任意的。图5是具有多个反射平面的反射层截面图。图6是从SQW和MQW LEDs发射的光强度角分布。光通量单位是任意的。图7是在两补偿群中具有多个反射平面的反射层截面图。 |
