| 主权项 |
1.一种多频段电子电路的设计方法,其乃藉由电子电路中至少一电晶体的输出端与输入端间电容之改变,使该电晶体之输入阻抗与电性连接于该电晶体输入端之至少一电感,从某一共振频段切换至另一共振频段,而达成多频段之切换。2.如申请专利范围第1项之多频段电子电路的设计方法,其中该电晶体为双极电晶体。3.如申请专利范围第1项之多频段电子电路的设计方法,其中该电晶体为场效电晶体。4.如申请专利范围第2项之多频段电子电路的设计方法,其中该电晶体之输入端为基极端而输出端为集极端。5.如申请专利范围第3项之多频段电子电路的设计方法,其中该电晶体之输入端为闸极端而输出端为汲极端。6.如申请专利范围第1项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的输出端与输入端间电容之改变,乃藉由与电晶体的输出端与输入端间并联之一串联组合的一切换开关与一电容器而达成。7.如申请专利范围第4项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的集极端与基极端间电容之改变,乃藉由与电晶体的集极端与基极端间并联之一串联组合的一切换开关与一电容器而达成。8.如申请专利范围第5项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的闸极端与汲极端间电容之改变,乃藉由与电晶体的闸极端与汲极端间并联之一串联组合的一切换开关与一电容器而达成。9.如申请专利范围第1项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的输出端与输入端间电容之改变,乃藉由与电晶体的输出端与输入端间并联之一可变电容器而达成。10.如申请专利范围第4项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的集极端与基极端间电容之改变,乃藉由与电晶体的输出端与输入端间并联之一可变电容器而达成。11.如申请专利范围第5项之多频段电子电路的设计方法,其中电晶体的闸极端与汲极端间电容之改变,乃藉由与电晶体的输出端与输入端间并联之一可变电容器而达成。12.一种多频段电子电路,包含一电晶体;与该电晶体输入端电性连接之一电感;以及电性连接于电晶体输入端与输出端之间的一电容可变元件;藉由该电容可变元件的电容之改变,使电路由某一共振频段切换至另一共振频段,而达成多频段之切换。13.如申请专利范围第12项之多频段电子电路,其中该电晶体为双极电晶体。14.如申请专利范围第12项之多频段电子电路,其中该电晶体为场效电晶体。15.如申请专利范围第12项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一串联组合之一切换开关与一电容器。16.如申请专利范围第12项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一可变电容器。17.如申请专利范围第13项之多频段电子电路,其中该电晶体之输入端为基极端而输出端为集极端。18.如申请专利范围第17项之多频段电子电路,其中该电晶体之射极端接地。19.如申请专利范围第17项之多频段电子电路,其中该电晶体之射极端连接一电感之一端,而该电感之另一端接地。20.如申请专利范围第14项之多频段电子电路,其中该电晶体之输入端为闸极端而输出端为汲极端。21.如申请专利范围第20项之多频段电子电路,其中该电晶体之源极端接地。22.如申请专利范围第20项之多频段电子电路,其中该电晶体之源极端连接一电感之一端,而该电感之另一端接地。23.如申请专利范围第13项或第17项或第18项或第19项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一串联组合之一切换开关与一电容器。24.如申请专利范围第13项或第17项或第18项或第19项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一可变电容器。25.如申请专利范围第14项或第20项或第21项或第22项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一串联组合之一切换开关与一电容器。26.如申请专利范围第14项或第20项或第21项或第22项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一可变电容器。27.一种多频段电子电路,包含射极接地之第一双极电晶体;与该第一双极电晶体基极端相连接之一电感;与该第一双极电晶体之集极端相连接之第一电阻;与该第一电阻之另一端相连接之电源;与该第一双极电晶体集极端相连接之一电容;射极接地且基极舆该电容的另一端相连接之第二双极电晶体;与该第二双极电晶体之集极端相连接的第二电阻;与该第二电阻之另一端相连接之电源;连接于该第二双极电晶体之基极与集极端间之第三电阻;以及连接于该第一双极电晶体之基极与集极端间之电容可变元件;藉由该电容可变元件的电容之改变,使从该第一双极电晶体基极端看入之输入阻抗与该电感,从某一共振频段切换至另一共振频段,而达成多频段之切换。28.如申请专利范围第27项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一串联组合之一切换开关与一电容器。29.如申请专利范围第27项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一可变电容器。30.如申请专利范围第27项或第28项或第29项之多频段电子电路,其中第一级双极电晶体之射极端系先连接一电感之一端,而该电感之另一端接地。31.一种多频段电子电路,包含源极接地之第一场效电晶体;与该第一场效电晶体闸极端相连接之一电感;与该第一场效电晶体之汲极端相连接之第一电阻;与该第一电阻之另一端相连接之电源;与该第一场效电晶体汲极端相连接之一电容;源极接地且闸极与该电容的另一端相连接之第二场效电晶体;与该第二场效电晶体之汲极端相连接的第二电阻;与该第二电阻之另一端相连接之电源;连接于该第二场效电晶体之闸极与汲极端间之第三电阻;以及连接于该第一场效电晶体之闸极与汲极端间之电容可变元件;藉由该电容可变元件的电容之改变,使从该第一场效电晶体闸极端看入之输入阻抗与该电感,从某一共振频段切换至另一共振频段,而达成多频段之切换。32.如申请专利范围第31项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一串联组合之一切换开关与一电容器。33.如申请专利范围第31项之多频段电子电路,其中该电容可变元件为一可变电容器。34.如申请专利范围第31项或第32项或第33项之多频段电子电路,其中第一场效电晶体之源极端系先连接一电感之一端,而该电感之另一端接地。图式简单说明:第一图为习知为了多频段应用所采之多频段收发机整合方法第二图为习知低杂讯放大器之电路图第三图为H.Hashemi氏和A.Hajimiri氏所发表之多频段低杂讯放大器的电路图第四图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯放大器)的电路图第五图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯放大器)在操作条件一下功率增益及输入折返损耗对频率的特性第六图本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯放大器)在操作条件一下杂讯指数对频率的特性第七图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯放大器)在操作条件二下功率增益及输入折返损耗对频率的特性第八图为本创作实施例(2.4/5.2/5.7 GHz多频段低杂讯放大器)在操作条件二下杂讯指数对频率的特性 |
