| 主权项 |
1.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(lateral Double-diffused MOS Transistor;LDMOS)结构,包括:一基底;具有第一导电型掺质之一第一井区,位于部分该基底中;一汲极区,位于该第一井区中;具有第二导电型掺质之一第二井区,位于部分该基底中;以及一源极区,位于该第二井区中,其中该源极区与该第一井区之间有一通道区;其中,除了该源极区与该通道区之外,该第二井区更包括具有低掺杂第二导电型掺质浓度的一第一领域(field)与具有高掺杂第二导电型掺质浓度的一第二领域,且该第一领域系围住该第一井区。2.如申请专利范围第1项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一闸极结构,位于该通道区上方。3.如申请专利范围第1项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一隔离层,位于部分该基底表面上。4.如申请专利范围第1项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散含氧半电晶体结构,其中环绕该第一井区的该第一领域之宽度范围系1~3m。5.如申请专利范围第1项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第一井区的井深大于或等于该第一领域之深度。6.如申请专利范围第1项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第一领域之第二导电型掺质剂量范围系0~2E13atom/cm2。7.如申请专利范围第6项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第二领域之第二导电型掺质剂量范围大抵系5E13atom/cm2。8.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(LDMOS)结构,包括:一p型基底;一N井区,位于部分该基底中;一汲极区,位于该N井区中;一第P井区,位于部分该基底中;以及一源极区,位于该P井区中,其中该源极区与该N井区之间有一通道区;其中,除了该源极区与该通道区之外,该第P井区更包括具有个掺杂第二导电型掺质浓度的一第一P领域与具有高掺杂第二导电型掺质浓度的一第二P领域,且该第一P领域系围住该N井区。9.如申请专利范围第8项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一闸极结构,位于该通道区上方。10.如申请专利范围第8项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一隔离层,位于部分该基底表面上。11.如申请专利范围第8项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中环绕该N井区的该第一P领域之宽度范围系1~3m。12.如申请专利范围第8项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第一井区的井深大于或等于该第一领域之深度。13.如申请专利范围第8项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第一P领域之p型掺质剂量范围系0~2E13atom/cm2。14.如申请专利范围第13项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该第二P领域之p型掺质剂量范围大抵系5E13atom/cm2。15.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(LDMOS)结构,包括:具有低浓度第二导电型掺质之一基底;具有高浓度第二导电型掺质之一埋藏层,位于该基底中;具有第一导电型掺质之一第一井区,位于部分该基底中,其中该第一井区位于该埋藏层上;一汲极区,位于该第一井区中;具有第二导电型掺质之一第二井区,位于部分该基底中;以及一源极区,位于该第二井区中,其中该源极区与该第一井区之间有一通道区。16.如申请专利范围第15项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一闸极结构,位于该通道区上方。17.如申请专利范围第15项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一隔离层,位于部分该基底表面上。18.如申请专利范围第15项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该埋藏层与该基底表面之距离范围系3~4m。19.如申请专利范围第15项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该基底之第二导电型掺质剂量范围大抵系1E11atom/cm2。20.如申请专利范围第15项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该埋藏层之第二导电型掺质剂量范围系1E12 ~ 1E13atom/cm2。21.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(LDMOS)结构,包括:一p型基底,具有8~12 ohm-cm;具有高浓度p型掺质之一埋藏层,位于该基底中;一N井区,位于部分该基底中,其中该N井区位于该埋藏层上;一汲极区,位于该N井区中;一P井区,位于部分该基底中;以及一源极区,位于该P井区中,其中该源极区与该第一井区之间有一通道区。22.如申请专利范围第21项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一闸极结构,位于该通道区上方。23.如申请专利范围第21项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,更包括:一隔离层,位于部分该基底表面上。24.如申请专利范围第21项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该埋藏层与该基底表面之距离范围系3~4m。25.如申请专利范围第21项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体结构,其中该埋藏层之p型掺质剂量范围系1E12~1E13atom/cm2。26.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(LDMOS)的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成具有第一导电型掺质之一第一井区于部分该基底中;形成一汲极区于该第一井区中;形成具有第二导电型掺质之一第二井区于部分该基底中;以及形成一源极区于该第二井区中,其中该源极区与该第一井区之间有一通道区;其中,除了该源极区与该通道区之外,该第二井区更包括形成具有低掺杂第二导电型掺质浓度的一第一领域(field)与具有高掺杂第二导电型掺质浓度的一第二领域,且该第一领域系围住该第一井区。27.如申请专利范围第26项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,更包括下列步骤:形成一闸极结构于该通道区上方28.如申请专利范围第26项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,更包括下列步骤:形成一隔离层于部分该基底表面上。29.如申请专利范围第26项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中环绕该第一井区的该第一领域之宽度范围系1~3m。30.如申请专利范围第26项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该第一井区的井深大于或等于该第一领域之深度。31.如申请专利范围第26项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该第一领域之第二导电型掺质剂量范围系0~2E13 atom/cm2。32.如申请专利范围第31项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该第二领域之第二导电型掺质剂量范围大抵系5E13atom/cm2。33.一种具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体(LDMOS)的制造方法,包括下列步骤:提供具有低浓度第二导电型掺质之一基底;形成具有高浓度第二导电型掺质之一埋藏层于该基底中;形成具有第一导电型掺质之一第一井区于部分该基底中,其中该第一井区位于该埋藏层上;形成一汲极区于该第一井区中;形成具有第二导电型掺质之一第二井区于部分该基底中;以及形成一源极区于该第二井区中,其中该源极区与该第一井区之间有一通道区。34.如申请专利范围第33项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,更包括下列步骤:形成一闸极结构于该通道区上方。35.如申请专利范围第33项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,更包括下列步骤:形成一隔离层于部分该基底表面上。36.如申请专利范围第33项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该埋藏层与该基底表面之距离范围系3~4m。37.如申请专利范围第33项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该基底之第二导电型掺质剂量范围大抵系1E11 atom/cm2。38.如申请专利范围第33项所述之具有高崩溃电压的横向双扩散金氧半电晶体的制造方法,其中该埋藏层之第二导电型掺质剂量范围系1E12~ 1E13atom/cm2。图式简单说明:第1图为习知LDMOS结构之一例的剖面图。第2图为根据习知LDMOS结构之汲极电流-电压图。第3A图为根据本发明第一实施例的LDMOS结构之上视示意图。第3B图为沿着第3A图b-b'断线之剖面图。第3C图为沿着第3B图c-c'断线之剖面图。第3D图为根据本发明第一实施例的LDMOS结构之汲极电流-电压图。第4图为根据本发明第二实施例的LDMOS结构之剖面图。 |
