| 主权项 |
1.一种VDD/2模式之铁电质记忆体配置之操作方法,此种记忆体配置具有许多记忆胞,各记忆胞分别包含:至少一个选择电晶体;一个记忆电容器(C),其具有上电极及下电极(BE,TE);及一个以其源极-汲极-区段并联至记忆电容器(C)之短路电晶体(SH),其在读出-或写入过程(其中各记忆胞经由各别所属之字元线(WL0,WL1,…)及经由各别所属之在预充电相位(PRE)中已预充电之位元线(BL)而受到控制)之后在一种备用相位(STB)期间受到控制且因此使记忆电容器(C)之电极(BE,TE)短路,其特征为:备用相位(STB)在时间上是与预充电相位(PRE)叠合且位元线(BL)所具有之电位是与记忆电容器(C)之二个电极(BE,TE)上者不相同。2.如申请专利范围第1项之铁电质记忆体配置之操作方法,其中在选取各记忆胞之后这些所选取之记忆胞之相对应之短路电晶体(SH)之控制相位藉由每一短路电晶体(SH)之相对应之字元线(例如,WL2)上之一种负电位而结束。3.如申请专利范围第1项之铁电质记忆体配置之操作方法,其中为了以所选取之各记忆胞使铁电质记忆电容器(C)之电极(BE,TE)又形成短路,则字元线(WL2)(其是与相对应之短路电晶体(SH)相连)又放电至0伏(V)。4.如申请专利范围第1,2或3项之铁电质记忆体配置之操作方法,其中全部之铁电质记忆电容器(C)之上电极可与一条共同之电极线相连。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之铁电质记忆体配置之操作方法,其中各短路电晶体(SH)在源极和汲极上可分别与一个共同电极相连。6.一种具有磁滞特性之记忆体配置,特别是铁电质记忆体配置,其特征是可用申请专利范围第1至5项中任一项之方法中。图式简单说明:第1图 一种铁电质记忆体配置之设有短路电晶体之习知之记忆胞之切面图。第2图 以信号对时间之关系图来说明习知技术中之操作方法。第3图 本发明之铁电质记忆体配置之操作方法之信号-时间图。 |
