| 主权项 |
1.一种电荷帮浦电位转换装置,包括:一第一型之第一厚氧化层MOS电晶体,其源极耦接至一第一电压源;一第一型之第二厚氧化层MOS电晶体,其源极耦接至该第一电压源;一第二型之第一薄氧化层MOS电晶体,其源极耦接至一第二电压源,其闸极耦接一第一输入信号;一第二型之第二薄氧化层MOS电晶体;其源极耦接至该第二电压源,其闸极耦接一第二输入信号;一第二型之第三厚氧化层MOS电晶体,其汲极耦接该第一厚氧化层MOS电晶体之汲极和该第二厚氧化层MOS电晶体之闸极,其源极耦接该第一薄氧化层MOS电晶体之汲极;一第二型之第四厚氧化层MOS电晶体,其汲极耦接该第二厚氧化层MOS电晶体之汲极和该第一厚氧化层MOS电晶体之闸极,其源极耦接该第二薄氧化层MOS电晶体之汲极;一第一帮浦装置,其输入端耦接该第一输入信号,其输出端耦接该第三厚氧化层MOS电晶体之闸极;当该第一输入信号之位准未能使该第一薄氧化层MOS电晶体导通时,该第一帮浦装置进行电荷累积;当该第一输入信号之位准使该第一薄氧化层MOS电晶体导通时,该第一帮浦装置利用累积之电荷推昇该第一输入信号之位准而输出,以将该第三厚氧化层MOS电晶体导通;以及一第二帮浦装置,其输入端耦接该第二输入信号,其输出端耦接该第四厚氧化层MOS电晶体之闸极;当该第二输入信号之位准未能使该第二薄氧化层MOS电晶体导通时,该第二帮浦装置进行电荷累积;当该第二输入信号之位准使该第二薄氧化层MOS电晶体导通时,该第二帮浦装置利用累积之电荷提升该第二输入信号之位准而输出,以将该第四厚氧化层MOS电晶体导通。2.如申请专利范围第1项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一帮浦装置,包括:一第一电荷贮存装置,耦接于该第一薄氧化层MOS电晶体闸极和该第三厚氧化层MOS电晶体闸极之间;一第一预充电装置,耦接于一第三电压源和该第三厚氧化层MOS电晶体闸极之间,用以提供电流路径使该第一电荷贮存装置得以累积电荷;以及该第二帮浦装置,包括:一第二电荷贮存装置,耦接于该第二薄氧化层MOS电晶体闸极和该第四厚氧化层MOS电晶体闸极之间;一第二预充电装置,耦接于该第三电压源和该第四厚氧化层MOS电晶体闸极之间,用以提供电流路径使该第二电荷贮存装置得以累积电荷充电。3.如申请专利范围第2项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二电荷贮存装置均系为电容器。4.如申请专利范围第2项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一电荷贮存装置系为一第一型之第三薄氧化层MOS电晶体,其汲极、源极和本体极系连接一起并耦接至该第三厚氧化层MOS电晶体之闸极,该第三薄氧化层MOS电晶体闸极耦接该第一薄氧化MOS电晶体之闸极;以及该第二电荷贮存装置系为一第一型之第四薄氧化层MOS电晶体,其汲极、源极和本体极系连接一起并耦接至该第四厚氧化层MOS电晶体之闸极,该第四薄氧化层MOS电晶体闸极耦接该第二薄氧化MOS电晶体之闸极。5.如申请专利范围第4项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第三、第四薄氧化层MOS电晶体之本体极与该第一、第二薄氧化层MOS电晶体、第一至第四厚氧化层MOS电晶体之本体极系彼此电性隔离。6.如申请专利范围第4项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第二型薄氧化层MOS电晶体所构成,其汲极耦接至该第三电压源,其源极和闸极相连接并分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极,其本体极耦接该第二电压源。7.如申请专利范围第2项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第二型薄氧化层MOS电晶体所构成,其汲极耦接至一第三电压源,其源极和闸极相连接并分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极,其本体极耦接该第二电压源。8.如申请专利范围第3项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第二型薄氧化层MOS电晶体所构成,其汲极耦接至该第三电压源,其源极和闸极相连接并分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极,其本体极耦接该第二电压源。9.如申请专利范围第2项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置系选择自电阻器或二极体。10.如申请专利范围第4项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置系选择自电阻器或二极体。11.如申请专利范围第3项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置系选择自电阻器或二极体。12.如申请专利范围第6项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一型系为P型,该第二型系为N型。13.如申请专利范围第12项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一电压源之位准大于该第二、第三电压源之位准。14.如申请专利范围第13项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第三电压源之位准大于该第二电压源之位准。15.如申请专利范围第1项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一电压源之位准大于该第二电压源之位准。16.如申请专利范围第1项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一输入信号与该第二输入信号互为反相。17.如申请专利范围第2项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第一型薄氧化层MOS电晶体所构成,其源极和本体极相连接并耦接至该第三电压源,其汲极和闸极分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极。18.如申请专利范围第3项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第一型薄氧化层MOS电晶体所构成,其源极和本体极相连接并耦接至该第三电压源,其汲极和闸极分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极。19.如申请专利范围第4项所述之电荷帮浦电位转换装置,其中,该第一、第二预充电装置均系由第一型薄氧化层MOS电晶体所构成,其源极和本体极相连接并耦接至一第三电压源,其汲极和闸极分别耦接至该第三、第四厚氧化层MOS电晶体之闸极。图式简单说明:第1图为习知之差动串接电压开关电路图。第2图为习知之零临界电压(Zero-Vt)电位位移器电路图。第3图为本发明之示意图。第4a、4b图为本发明之方块图。第5图为本发明之第一实施例电路图。第6图为本发明之第二实施例电路图。第7图为本发明与习知的转换时间比较图。 |
