| 主权项 |
1.一种图案尺寸校正装置,其系于制造半导体时,对曝光装置中所发生之局部光斑进行校正的图案尺寸校正装置,特征在于,以评估用图案中之图案宽度,和从前述评估用图案起到最接近的图案为止之邻接间距离为图案来定义相对于前述光斑量的尺寸变动量的表单,再据以改变实际形成之每个图案的校正量。2.如申请专利范围第1项之图案尺寸校正装置,特征在于其系求得用具备分配前述图案宽度及前述邻接间距离而作成的评估用图案群,和用以使局部光斑发生在该评估用图案周边的光斑发生图案之试验用光罩所转写之前述评估用图案的各转写图案之宽度値,与前述光斑量之间的相关,使前述相关近似线形,并将所获得之倾斜度提供给前述光斑的校正。3.一种图案尺寸校正装置,其系于制造半导体装置时,对曝光装置中所发生之局部光斑进行校正的图案尺寸校正装置,特征在于其包括有,以评估用图案中之图案宽度,和从前述评估用图案起到最接近的图案为止之邻接间距离为图案,来评估相对于前述光斑量之尺寸变动量的变动量评估装置,和根据定义前述尺寸变动量的表单来改变实际形成的每个图案之校正量的校正装置。4.如申请专利范围第3项之图案尺寸校正装置,特征在于前述变动量评估装置包含,具备以前述图案宽度和前述邻接间距离为图案而作成之复数个评估用图案,和用以使局部光斑发生于各该评估用图案周边的光斑发生图案之试验用光罩,和将使用前述试验用光罩所转写之前述评估用图案的各转写图案之宽度値,根据与前述光斑发生图案之开口率的关系分别算出之第1算出装置,和使所算出之前述各转写图案的宽度値分布近似线形,算出其倾斜度,提供给前述光斑之校正的第2算出装置。5.如申请专利范围第4项之图案尺寸校正装置,特征在于前述光斑发生图案被形成为使得前述各评估用图案每个的开口率互不相同。6.如申请专利范围第4项之图案尺寸校正装置,特征在于前述各评估用图案的周围配设有复数个矩形之前述光斑发生图案,且前述开口率系依各该光斑发生图案的面积而受到规定。7.如申请专利范围第4项之图案尺寸校正装置,特征在于前述第1算出装置针对至少由线形、I字形及T字形所构成之每个前述评估用图案,执行前述转写图案之宽度的算出。8.一种图案尺寸校正方法,其系于制造半导体装置时,对曝光装置中所发生之局部光斑进行校正的图案尺寸校正方法,特征在于其系,根据以评估用图案中之图案宽度,和从前述评估用图案至最接近的图案为止之邻接间距离为参数,而将相对于前述光斑量之尺寸变动量加以定义而成之表单,对实际形成的每个图案改变校正量。9.如申请专利范围第8项之图案尺寸校正方法,特征在于其系求得使用具备分配前述图案宽度及前述邻接间距离而作成之评估用图案群,和用以使局部光斑发生于该评估用图案周边的光斑发生图案之试验用光罩所转写之前述评估用图案的各转写图案之宽度値,与前述光斑量之相关,并使前述相关近似线形,再将所获得之倾斜度提供给前述光斑之校正。10.一种图案尺寸校正方法,其系于制造半导体装置时,对曝光装置中所发生之局部光斑进行校正的图案尺寸校正方法,特征在于其包含有,以评估用图案中之图案宽度,和从前述评估用图案起到最接近的图案为止之邻接间距离为参数,来评估相对于前述光斑量之尺寸变动量的变动量评估步骤,和根据定义前述尺寸变动量的表单来改变实际形成的每个图案之校正量的校正步骤。11.如申请专利范围第10项之图案尺寸校正方法,特征在于前述前述变动量评估步骤包含,用具备以前述图案宽度和前述邻接间距离为图案而作成之复数个评估用图案,和用以使局部光斑发生于各该评估用图案周边的光斑发生图案之试验用光罩,和将使用前述试验用光罩所转写之前述评估用图案的各转写图案之宽度値,根据与前述光斑发生图案之开口率的关系分别算出之第1算出步骤,和使所算出之前述各转写图案的宽度値分布近似线形,算出其倾斜度,提供给前述光斑之校正的第2算出步骤。12.如申请专利范围第11项之图案尺寸校正方法,特征在于前述光斑发生图案被形成为使得前述各评估用图案每个的开口率互不相同。13.如申请专利范围第11项之图案尺寸校正方法,特征在于前述各评估用图案的周围配设有复数个矩形之前述光斑发生图案,且前述开口率系依各该光斑发生图案的面积而受到规定。14.如申请专利范围第11项之图案尺寸校正方法,特征在于前述第1算出装置针对至少由线形、I字形及T字形所构成之每个前述评估用图案,执行前述转写图案之宽度的算出。15.一种光罩,特征在于其系使用申请专利范围第8项记载之图案尺寸校正方法而形成。16.一种光罩,特征在于其系使用申请专利范围第9项记载之图案尺寸校正方法而形成。17.一种光罩,其具备,以评估用图案中之图案宽度,和从前述评估用图案起至最接近的图案为止之邻接间距离为参数而作成之复数个评估用图案,和用以使局部光斑发生于前述各评估用图案周边的光斑发生图案,前述光斑发生图案被形成为使得前述各评估用图案每个的开口率互不相同。18.如申请专利范围第17项之光罩,特征在于前述各评估用图案的周围配设有复数个矩形之前述光斑发生图案,且前述开口率系依各该光斑发生图案的面积而受到规定。19.如申请专利范围第17项之光罩,特征在于其藉梯形近似而将校正前述光斑的部分计算在内以对前述开口率做成规定。图式简单说明:第1A-1C图系用以说明本发明之基本要点的概念图。第2图所示为根据第1实施态样的图案尺寸校正装置之概略构成方块图。第3图为试验用光罩之概略构成图。第4图所示为本实施态样之图案尺寸校正方法的流程图。第5图系显示转写图案的宽度与光斑发生图案之开口率(补偿曝光量[%])的关系之特性图。第6A-6C图为局部光斑校正(LFC)表单之1例的示意图。第7图为试验用光罩之概略构成图。第8图系用以说明应用LFC表单之光罩图案的尺寸校正之概略构成图。第9图为一般的个人使用者端末装置之内部构成图。第10A-10B图为光罩图案之概略构成图。 |
