| 主权项 |
1.一种氮化物半导体雷射元件,包括一含有多数第三族氮化物(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0<y≦1)晶体层的多层体,和一可被高度劈开的基板,其中该多层体与该基板彼此被胶合在一起,而且该基板在接近该多层体的雷射小眼面处至少具有一个切开的部分。2.如申请专利范围第1项的氮化物半导体雷射元件,其中该多层体的分裂平面实质上是平行于该基板的分裂表面。3.如申请专利范围第2项的氮化物半导体雷射元件,其中该切开的部分是一延着该雷射元件的波导之凹槽。4.如申请专利范围第1至3项中任一项的氮化物半导体雷射元件,其中该基板是由导电的材料做成。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之氮化物半导体雷射元件,其中该基板包括一含有雷射结构的第二多层体,该多层体具有位于接近该第二多层体之雷射小眼面的第二切开部分。6.如申请专利范围第5项的氮化物半导体雷射元件,其中该第二切开部分是一延着该第二多层体之该雷射元件的波导之凹槽。7.如申请专利范围第2项的氮化物半导体雷射元件,其中该被形成之切开的部分实质上是平行于该基板的该分裂平面。8.如申请专利范围第7项的氮化物半导体雷射元件,其中该基板是由导电的材料做成。9.一种用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,该元件含有由第三族氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0<y≦1)制成之多数依序堆叠晶体层的多层体,该方法包含:藉由将该多层体堆叠在第一基板上形成一雷射晶圆的晶圆形成步骤;用于在第二基板上形成切开部分的切开部分形成步骤;用于排列并胶合该第二基板的表面的胶合步骤,其中该切开部分已经形成在该多层体上;用于将该第一基板由该雷射晶圆移除的步骤;和藉由分裂含有该第二基板与该多层体的胶合体而形成一共振腔镜的分裂步骤。10.如申请专利范围第9项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该胶合步骤包含一用于将该多层体的分裂平面实质上与该第二基板的分裂平面平行排列之步骤。11.如申请专利范围第9项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该切开部分形成步骤是一用于在实质上垂直于该第二基板之分裂平面的方向形成该切开部分的步骤。12.如申请专利范围第11项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该胶合步骤包含胶合该第二基板与该多层体,使得该基板的切开部分位于接近该多层体之雷射小眼面处的步骤。13.如申请专利范围第9项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该切开部分形成步骤是一用于形成实质上平行于该第二基板的分裂平面之该切开部分的方法。14.如申请专利范围第13项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该分裂步骤包含在该切开部分分裂该胶合体的步骤。15.一种用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,该元件含有由第三族氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0<y≦1)制成之多数依序堆叠晶体层的多层体,该方法包含:藉由将该多层体堆叠在第一基板上形成一雷射晶圆的晶圆形成步骤;用于将第二基板胶合在该多层体的胶合步骤;用于将该第一基板由该多层体移除的步骤;用于藉由分裂含有该第二基板与该多层体的胶合体而形成一共振腔镜的分裂步骤;和用于移除该第二基板的一部份之蚀刻步骤。16.如申请专利范围第15项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该胶合步骤包含一用于将该多层体的分裂平面实质上与该第二基板的分裂平面平行排列之步骤。17.如申请专利范围第15项之用于制造氮化物半导体雷射元件的方法,其中该蚀刻步骤是一使用对于形成该第二基板之材料比对组成该多层体之材料有更快的蚀刻速率之蚀刻剂进行蚀刻的步骤。图式简单说明:第1图是在蓝宝石基板上接近雷射小眼面所形成之传统氮化物为主之半导体元件的部份放大截面图;第2图是利用传统晶圆转移方法所形成之氮化物为主之半导体元件的透视图;第3图是依据本发明之氮化物为主之半导体元件的透视图;第4图是依据本发明之雷射晶圆的截面;第5图是依据本发明之雷射晶圆的截面图;第6图是依据本发明之载体基板的透视图;第7图是依据本发明之包含有彼此胶合在一起的雷射晶圆与该载体基板之胶合体的截面图;第8图是依据本发明之另一氮化物为主之半导体元件的透视图;第9图是依据本发明之另一氮化物为主之半导体元件的透视图;第10图是第9图接近雷射小眼面之氮化物为主之半导体元件的部份放大截面图;以及第11图是依据本发明又另一氮化物为主之半导体元件的透视图。 |
