| 主权项 |
1.一种反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,至少包括:提供一基板,其具有一第一导体层,其中该第一导体层包含一闸极;形成一闸极绝缘层覆盖于该基板及第一导体层上;于该闸极上方形成一通道层;以及形成一第二导体层于该基板上,该第二导体层包括一同时形成之一源极/汲极以及一反射电极。2.如申请专利范围第1项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成该第二导体层之前,更包括形成一接触层步骤。3.如申请专利范围第1项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成该通道层之后,更包括形成一蚀刻终止层于该通道层上方。4.如申请专利范围第1项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成该第二导体层之后,更包括形成一保护层覆盖于该第二导体上。5.如申请专利范围第1项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,进一步包含一形成凸块层之步骤,且该反射电极系形成于该凸块层之一上表面。6.如申请专利范围第5项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中该凸块层之一上表面系为一凹凸表面,以使得该反射电极具有良好的反射特性。7.一种反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,至少包括:提供一基板,该基板具有一第一导体层,其中,该第一导体层包含一闸极,形成一闸极绝缘层覆盖于该基板及第一导体层上,再于该闸极上方形成一通道层;以及形成一第二导体层于该基板上,其特征在于该第二导体层包括一源极/汲极以及一反射电极,且该源极/汲极与该反射电极系同时定义而形成。8.如申请专利范围第7项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成第二导体层之前,更包括形成一接触层。9.如申请专利范围第7项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成该通道层之后,更包括形成一蚀刻终止层。10.如申请专利范围第7项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中形成该第二导体层之后,更包括形成一保护层。11.如申请专利范围第7项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中在第二导体层形成之前,进一步包含一形成凸块层之步骤,且该第二导体层之反射电极系形成于该凸块层之一上表面。12.如申请专利范围第11项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法,其中该凸块层之该上表面系为一凹凸表面。13.一种反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板,包含:一基板;一第一导体层,配置于该基板表面,该第一导体层包括一闸极;一闸极绝缘层,配置于该基板上并覆盖该第一导体层;一通道层,配置于该闸极上方之该闸极绝缘层上;以及一第二导体层,该第二导体层包括一源极/汲极以及一反射电极,其中该反射电极系与该源极/汲极的一端连接。14.如申请专利范围第13项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板,进一步包含一接触层,其系设置于该第二导体层之源极/汲极之下。15.如申请专利范围第13项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板,进一步包含一蚀刻终止层,其系设置于通道层之上。16.如申请专利范围第13项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板,进一步包含一凸块层,且该第二导体层之反射电极系设置于该凸块层上。17.如申请专利范围第13项所述之反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板,其中该凸块层之上表面系一凹凸表面。图式简单说明:第1图至第5图绘示为习知反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板的制作流程示意图;第6图至第10图绘示为依照本发明一较佳实施例反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板的制作流程示意图;以及第11图至第12图绘示为依照本发明一另较佳实施例反射式液晶显示器之薄膜电晶体阵列基板制作方法。 |
