散热增益型之球格阵列封装结构

摘要

一种散热增益型之球格阵列封装结构，该基板底表面设有一第一焊垫区及一第二焊垫区。该第一焊垫区位于该基板底表面，而该第二焊垫区位于该基板底表面周围并环绕于该第一焊垫区。该第一焊垫区之焊罩开口大于该第二焊垫区之焊罩开口，使该第一焊垫区之锡球经过植球回焊后坍塌高度〔Collapsed Height〕低于该第二焊垫区之锡球坍塌高度，且该第一焊垫区或该第二焊垫区内各具有相同焊罩开口。晶片封装后该基板系呈一曲体，该基板底表面之锡球仍凸起于该底表面，本创作主要由于该基板受到晶片的支撑形成较平整的区域，在该较平整的区域内设有较大的焊罩开口。该基板上表面设有一晶片，该晶片所产生的热主要可直接由该第一焊垫区之锡球传导至一散热区，而该区域内锡球具有较低的坍塌高度，故具备较短的散热路径，及提供较大散热截面积，使整个封装基板达到散热增益的效果。

主权项

1.一种散热增益型之球格阵列封装结构,包括:一基板,具有一第一表面及对应之一第二表面,该第一表面设有一第一焊垫区及一第二焊垫区,并且该第二表面设有一晶片区域,而该晶片区域对应于该第一焊垫区,该第一焊垫区内具有复数个第一焊罩开口,暴露出复数个第一焊垫,该第二焊垫区具有复数个第二焊罩开口,暴露出复数个第二焊垫,其中该些第一焊罩开口大于该些第二焊罩开口,并且每一该些第一焊罩开口的面积相等,每一该些第二焊罩开口的面积亦相等,另外该些第一焊罩开口形成至少二排于该第一焊垫区,而该些第二焊罩开口形成至少二排于该第二焊垫区;一晶片,该晶片贴附于该基板之该晶片区域;复数个第一锡球,焊接于该基板之该些第一焊垫上;以及复数个第二锡球,焊接于该基板之该些第二焊垫上,该些第一锡球之高度低于该些第二锡球之高度,而该第一焊垫区与该第二焊垫区相邻的最短距离大于相邻之该些第一锡球的最短距离及相邻之该些第二锡球的最短距离。2.依申请专利范围第1项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该第一焊垫区位于基板中央。3.依申请专利范围第1项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该第二焊垫区位于基板周缘。4.一种散热增益型之球格阵列封装结构,包括:一基板,具有一第一表面及对应之一第二表面,该第一表面设有一第一焊垫区及一第二焊垫区,并且该第二表面设有一晶片区域,而该晶片区域对应于该第一焊垫区,该第一焊垫区内具有复数个第一焊罩开口,暴露出复数个第一焊垫,该第二焊垫区具有复数个第二焊罩开口暴露出复数个第二焊垫,其中该些第一焊罩开口大于该些第二焊罩开口,并且每一该些第一焊罩开口的面积相等,每一该些第二焊罩开口的面积亦相等;一晶片,该晶片贴附于该基板之该晶片区域;复数个第一锡球,焊接于该基板之该些第一焊垫上;以及复数个第二锡球,焊接于该基板之该些第二焊垫上,该些第一锡球之高度低于该些第二锡球之高度,而该第一焊垫区与该第二焊垫区相邻的最短距离大于相邻之该些第一锡球的最短距离及相邻之该些第二锡球的最短距离。5.依申请专利范围第4项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该第一焊垫区位于基板中央。6.依申请专利范围第4项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该第二焊垫区位于基板周缘。7.依申请专利范围第4项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该些第一焊罩开口形成至少二排于该第一焊垫区。8.依申请专利范围第4项所述之散热增益型之球格阵列封装结构,其中该些第二焊罩开口形成至少二排于该第二焊垫区。9.一种基板,具有一第一表面及对应之一第二表面,该第一表面设有一第一焊垫区及一第二焊垫区,并且该第二表面设有一晶片区域,而该晶片区域对应于该第一焊垫区,而该第一焊垫区内具有复数个面积相等之第一焊罩开口,该第二焊垫区具有复数个面积相等之第二焊罩开口,其中该些第一焊罩开口大于该些第二焊罩开口,且该第一焊垫区与该第二焊垫区相邻的最短距离系大于相邻之该些第一焊罩开口的最短距离及相邻之该些第二焊罩开口的最短距离。10.依申请专利范围第9项所述之基板,其中该第一焊垫区位于基板中央。11.依申请专利范围第9项所述之基板,其中该第二焊垫区位于基板周缘。12.依申请专利范围第9项所述之基板,其中该些第一焊罩开口形成至少二排于该第一焊垫区。13.依申请专利范围第9项所述之基板,其中该些第二焊罩开口形成至少二排于该第二焊垫区。图式简单说明:第1图:美国专利第5,641,946号基板之底视图;第2图:美国专利第5,641,946号基板之侧视图;第3图:本创作较佳实施例基板之底视图;第4图:本创作较佳实施例基板之侧视图;第5图:本创作第4图之局部放大图;第6图:本创作第4图之局部放大图;第7图:本创作第4图之局部放大图;及第8图:本创作第4图之局部放大图。