具多清洗头之晶片清洗装置

摘要

本创作系提供一种具多清洗头之晶片清洗装置，适用于一化学机械研磨制程后之晶片清洗，该晶片清洗装置包括一支撑座，该支撑座更具有一驱动装置及至少一流体管；以及一旋转模组，该旋转模组上端系连接于该驱动装置，且该旋转模组更具有复数个清洗头及至少一个喷嘴；其中，该清洗头下端与一晶片接触，且利用该驱动装置可同时驱动该旋转模组整体转动及该复数个清洗头各自转动并沿一清洗路径清洗该晶片，清洗该晶片同时可藉由该流体管导入流体经由该喷嘴喷出辅助清洗该晶片，用以解决知晶片清洗装置之单一清洗头在清洗晶片过程中容易形成的清洗死角。五、(一)、本案代表图为：第三b图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：10 支撑座 11 延伸手臂211、212 第一转动轴221、222 第二转动轴230、231、232、233 传动皮带240 第一马达 241 第二马达31、32、33 流体管41、42清洗头50 晶片70 旋转模组73 齿轮组80 喷嘴

主权项

1.一种具多清洗头之晶片清洗装置,适用于一晶片清洗制程,包括:一支撑座,该支撑座至少包含一驱动装置;以及一旋转模组,该旋转模组上端系连接于该驱动装置,该旋转模组更具有复数个清洗头;其中,该清洗头下端与一晶片接触,且利用该驱动装置可同时驱动该旋转模组整体转动及该复数个清洗头各自转动并沿一清洗路径清洗该晶片。2.如申请专利范围第1项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之驱动装置至少包含一对第一转动轴、一对第二转动轴、第一传动皮带、第二传动皮带、第三传动皮带、第四传动皮带及第一马达、第二马达,其中该第一传动皮带套合于该对第一转动轴上端及该第二传动皮带套合该对第二转动轴之上端,该第三传动皮带套合于该对第一转动轴下端及该第四传动皮带套合该对第二转动轴下端,且该第三传动皮带另一端更与该第一马达连接,该第四传动皮带另一端与该第二马达连接。3.如申请专利范围第2项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之第一马达牵动一第三传动皮带驱动该对第一转动轴其中之一,接着牵动第一传动皮带使牵动对应之另一第一转动轴连动该旋转模组整体的转动。4.如申请专利范围第2项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之第二马达牵动第四传动皮带驱动该对第二转动轴其中之一,接着牵动该第二传动皮带使牵动该第二转动轴连动该旋转模组控制该复数个清洗头各自转动清洗该晶片。5.如申请专利范围第1项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之旋转模组更可包含一齿轮组及复数个清洗头,辅助该驱动装置带动复数个清洗头各自转动。6.如申请专利范围第2或5项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之第二马达牵动第四传动皮带驱动该对第二转动轴其中之一,接着牵动该第二传动皮带使牵动该第二转动轴连动该旋转模组之一齿轮组,再藉由该齿轮组控制该复数个清洗头各自转动清洗该晶片。7.如申请专利范围第1项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之旋转模组至少有一喷嘴,该喷嘴在清洗晶片过程中可喷出高压水濂。8.如申请专利范围第7项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过氮气藉由该旋转模组之喷嘴喷出。9.如申请专利范围第7项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过去离子水藉由该旋转模组之喷嘴喷出。10.申请专利范围第7项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过化学药剂藉由该旋转模组之喷嘴喷出。11.一种具多清洗头之晶片清洗装置,适用于一晶片清洗制程,包括:一支撑座,该支撑座至少具有一驱动装置穿过该支撑座,且该驱动装置至少具有一对第一转动轴、一对第二转动轴、及第一马达、第二马达及,该对第二转动轴更可各别穿过该对第一转动轴,其中,至少有一第一传动皮带套合于该对第一转动轴上端及至少一第二传动皮带套合该对第二转动轴上端及至少一第三传动皮带套合该对第一转动轴下端及至少一第四传动皮带套合该对第二转动轴下端,其中该第三传动皮带与该第一马达连接,该第四传动皮带与该第二马达连接;以及一旋转模组,该旋转模组上端系与该对第一转动轴其中之一固接,该旋转模组更具有复数个清洗头;其中,该复数个清洗头下端与一晶片接触,藉由该第一马达牵动该第一及第三传动皮带可驱动该对第一转动轴使该旋转模组整体的转动,该第二马达牵动该第二及第四传动皮带可驱动该对第二转动轴使该旋转模组控制该复数个清洗头各自转动清洗该晶片。12.如申请专利范围第11项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之旋转模组更包含一齿轮组、一上固定盘、一下固定盘及复数个锁合装置,该齿轮组介于该上、下固定盘之间,藉由锁固装置与该对第一转动轴其中之一锁合带动该旋转模组整体转动。13.如申请专利范围第12项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之齿轮组藉由锁合装置与其中之一第一转动轴内穿过之第二转动轴连接,该第二转动轴可带动齿轮组连动各个清洗头各自转动。14.如申请专利范围第11项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之旋转模组更具有一喷嘴,该喷嘴在清洗晶片过程中可喷出高压水濂。15.如申请专利范围第11项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过氮气藉由该旋转模组之喷嘴喷出。16.如申请专利范围第11项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过去离子水藉由该旋转模组之喷嘴喷出。17.如申请专利范围第11项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之支撑座至少有一流体管,该流体管可通过化学药剂藉由该旋转模组之喷嘴喷出。18.如申请专利范围第12项之具多清洗头之晶片清洗装置,其中上述之上固定盘及下固定盘可由铝质材料制造。图式简单说明:第一图系习知之单一清洗头之晶片清洗装置侧视图;第二a图系习知之单一清洗头之晶片清洗装置的清洗头运动示意图;第二b图系习知之单一清洗头之晶片清洗装置清洗路径示意图;第三a图为本创作之具多清洗头之晶片清洗装置之较佳实施例上视图;第三b图为本创作之具多清洗头之晶片清洗装置之较佳实施例侧视图;第四图系本创作较佳实施例之双清洗头具多清洗头之晶片清洗装置之旋转模组分解图;第五a图系本创作实施例之双清洗头之晶片清洗装置的清洗头及旋转模组运动示意图;第五b图系本创作实施例之双清洗具多清洗头之晶片清洗装置的清洗路径示意图;第六图系本创作之较佳实施例之三个清洗头之晶片清洗装置之旋转模组分解图;