| 主权项 |
1.一种疏水沈淀矽石,其特征为以下特性: -碳含量 3.1~30% -甲醇润湿率 60~90% -反射率 94~99% -BET/CTAB比 1-3% -DBP吸收率 25~230克/100克 -BET表面积 50~110米2/克 -CTAB表面积 30~110米2/克 -在30℃及30AH(周遭湿度)下之水蒸气吸收率 1.10.2% -在30℃及70AH下之水蒸气吸收率 1.40.3%。2.如申请 专利范围第1项之矽石,其席尔斯値为0.1~1.6。3.如 申请专利范围第1项之矽石,其pH値为5.0~9.0。4.如申 请专利范围第1项之矽石,其水含量为0.2-2.0%。5.如 申请专利范围第1项之矽石,其导电度为1~150S。6. 如申请专利范围第1项之矽石,其燃烧损耗为3~50%。 7.一种制备疏水沈淀矽石之方法,包括: a)制备有机聚矽氧烷衍生物和沈淀矽石之混合物, b)在10至150℃调理混合物0.5至72小时,及 c)在300℃以上之温度,用氧化性气体做氧化热处理 。8.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤a)乃将 有机聚矽氧烷衍生物加到水含量为1.0~80%之沈淀矽 石中。9.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤a) 乃将有机聚矽氧烷衍生物加到水含量为70~99%之沈 淀矽石中,接着由水中分离出固体。10.如申请专利 范围第7项之方法,其中步骤a)乃将沈淀矽石或含水 沈淀矽石及有机聚矽氧烷衍生物同时加入转闪乾 燥器中。11.如申请专利范围第7项之方法,其中步 骤a)乃使沈淀矽石和步骤a)及b)所制之经调理过的 沈淀矽石混合。12.如申请专利范围第7项之方法, 其中步骤b)乃在100至150℃进行热处理0.5至2小时。 13.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤b)乃在室 温储存至少48小时。14.如申请专利范围第7项之方 法,其中氧化性气体包含Cl2.NOx、O3.O2.Br2及/或F2。15 .如申请专利范围第7项之方法,其中氧化性气体中 尚包含惰性气体。16.如申请专利范围第7项之方法 ,其中氧化性气体乃空气或惰性气体和空气之混合 物。17.如申请专利范围第7项之方法,其中氧化性 气体至少占惰性气体体积之1%。18.如申请专利范 围第7项之方法,其中氧化性气体中尚含最高80体积 %之水气。19.如申请专利范围第7项之方法,其中步 骤a)、b)及c)之一系依序进行数次。20.如申请专利 范围第7项之方法,其中步骤a)及b)乃依序进行数次 。21.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤a)、b) 及c)乃依序进行数次。22.如申请专利范围第1项之 矽石,其系用为聚合物之填充料。23.如申请专利范 围第1项之矽石,其系用于弹性体、轮胎及密封胶 。24.如申请专利范围第1项之矽石,其系用于矽橡 胶配方。25.如申请专利范围第1项之矽石,其系用 于消泡剂。26.如申请专利范围第1项之矽石,其系 用于自由流动辅助剂。27.如申请专利范围第1项之 矽石,其系用为体物质。28.如申请专利范围第1 项之矽石,其系用为抗相粘辅助剂。29.如申请专利 范围第1项之矽石,其系用为杀虫剂或做为杀虫剂 体。图式简单说明: 第1图显示经本发明之均质疏水化处理的矽石之甲 醇润湿性的曲线图。 第2图显示未经本发明所调理的经加热处理之一般 疏水性矽石之甲醇润湿性的曲线图。 |
