具有替换编程电路的半导体存储装置

摘要

提供一种仅用对缺陷地址进行编程的熔断器就能够进行替换补救的半导体存储装置。半导体存储装置具备替换编程电路1、10。替换编程电路1包含对缺陷地址进行编程的编程电路2#～2#5。替换编程电路10包含对缺陷地址进行编程的编程电路12#0～12#5。使用替换编程电路1的输出b0～b63中的信号b63和替换编程电路10的输出c0～c63中的信号c0作为指示是否进行替换的信号。不能用替换编程电路1补救的字线用信号c63来补救，不能用替换编程电路10补救的字线用信号b0来补救。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：标准存储单元阵列，包含行列矩阵设置的多个存储单元和把数据存入所述多个存储单元或将存入的数据读出的多条存储线，所述多条存储线包括第一和第二存储线；冗余存储单元阵列，包含多个冗余存储单元和多条冗余存储线，每条冗余存储线被安排来替换所述多条存储线中的有缺陷的存储线，并将数据存储在对应的冗余存储单元或将存入的数据读出，所述多条冗余存储线包括第一和第二冗余存储线；多个替换编程电路，每个具有为在所述多条存储线之间被替换的存储线地址编程所需的规定数目的熔断器，所述多个替换编程电路包括：第一替换编程电路，能为包括作为存储线待与所述第一冗余存储线替换的所述第一存储线的所述多条存储线的第一组线的每一个地址编程，并防止为所述第二存储线的地址编程，以及第二替换编程电路，能为包括作为存储线待与所述第二冗余存储线替换的所述第二存储线的所述多条存储线的第二组线的每一个地址编程，并防止为所述第一存储线的地址编程；所述第一和第二组线包括普通存储线以及根据所述多个替换编程电路编程的状态来进行替换的选择控制电路。