发明名称 | 电极装置及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明讲述了一种电极装置及其制作方法,它至少可用于一种需要进行构造的薄膜,它包括以下步骤:准备好需要进行构造的薄膜,在需构造的薄膜上面放上一种掩膜,对需构造的薄膜进行干蚀。本发明方法的特征在于,掩膜含有一种金属硅化物,金属氮化物或金属氧化物等。本发明还提供了用上述方法制作的电极装置。 | ||
申请公布号 | CN1146960C | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
申请号 | CN98115662.2 | 申请日期 | 1998.07.03 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | V·维恩里赫;M·恩格尔哈德特;H·温德特;W·帕姆勒 |
分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
主权项 | 1.电极装置(10),具有:一个第一导电层(6),其材料实际上不受化学干蚀的腐蚀作用,和至少一个在第一导电层(6)上准备好的第二导电层(7),其材料通过化学干蚀至少有较小的腐蚀率,其特征在于,通过作为掩膜的第二导电层(7),第一导电层(6)的没受到第二导电层保护的区域是被干蚀消除了的。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |