半导体器件的制造方法

摘要

在电容器的制造中，本发明借助于在不含氧的气氛中进行热处理，可以从TiN膜制作TiO₂膜。这在热处理过程中用来防止组成底电极的多晶硅发生氧化。于是，底电极一经在硅片上制得，就制作TiN膜和RuO₂膜，并在不含氧的气氛中对硅片进行热处理。以这种方式获得了带有TiO₂膜的介电膜和带有钌膜的顶电极。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，它包含下列步骤：制作一个层叠结构，此层叠结构至少有用于形成氧化介电膜的可氧化物质的第一膜和用来向上述第一膜供氧的第二膜，以及借助于在不含氧的气氛中对上述层叠结构进行热处理，将氧从上述第二膜馈至上述第一膜。