晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及晶体管的制造方法。在具有LDD构造的半导体的制造方法中，在杂质注入时，向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间，在将其离子化后，用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时，若是顶栅型的晶体管的话，在半导体区域上的栅电极就作成起掩膜作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话，就使用掩膜或抗蚀剂。并且，掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后，根据需要，进行杂质的激活。在以上，只用一次杂质的注入，就制造出具有LDD构造的半导体。

主权项

1.一种晶体管的制造方法，其中，在由基板上的半导体层、该半导体层的上部形成的栅绝缘层以及在该栅绝缘层上形成的栅电极构成的半导体区域上，通过将注入深度不同的杂质元素离子化、并用电压加速进行掺入来制造在所述基板上具有LDD区域和源、漏区域的晶体管，并且该方法包括在栅绝缘层上边，形成由掺入的杂质元素的注入深度决定的厚度的栅电极且兼作掺杂时的掩膜的栅电极形成步骤，其特征在于，具有：混合具有杂质元素的分子量不同的两种以上的化合物作为原料气体的混合步骤；将所述原料气体供给离子化室的供给步骤；使所述原料气体离子化的离子化步骤；以及通过将规定动能赋予已离子化的所述原料气体，使其掺入到基板上的半导体区域中后进行热处理，由具有较轻分子量的化合物的杂质元素形成所述LDD区域、由具有较轻分子量的化合物的杂质元素和具有较重分子量的化合物的杂质元素形成所述源、漏区域的掺杂步骤。