| 发明名称 | 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚-α，α-二氟亚对二甲苯组成并具有2.1-2.7的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成和具有0.4-0.9的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α-二氟亚对二甲苯组成，和其深度(D)和开口宽度(L)之比(D/L)是1或1以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1146962C | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
| 申请号 | CN99102154.1 | 申请日期 | 1999.02.09 |
| 申请人 | 岸本产业株式会社;第三化成株式会社 | 发明人 | 木元寿勇;望月励 |
| 分类号 | H01L21/312;C07C25/28;C07C25/00 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 黄泽雄 |
| 主权项 | 1.半导体装置，包括一个由聚-α，α-二氟亚对二甲苯组成的中间层绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||