在半导体器件上形成微细图形的方法

摘要

本发明提供一种在半导体器件上形成微细图形而不发生塌倒的方法，它包含：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上光刻成形，随后显影形成光敏膜图形；通过自旋在大圆晶片上散布第一洗液，使第一洗液停留在包括光敏膜图形在内的大圆晶片上；在大圆晶片上散布第二洗液，使之停留在其上，同时自旋大圆晶片，从以除去其上的第一洗液；自旋大圆晶片，使第二洗液干化。

主权项

1.一种在半导体器件上形成微细图形的方法，其特征在于，包含下列步骤：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上成形，随后显影形成负型光敏膜图形；用去离子水清洗大圆晶片；把加热到室温或更高温度的去离子水加到大圆晶片上，并使加热的去离子水保持一段时间，使所述光敏膜图形进行交联；以及自旋大圆晶片，使加热的去离子水干化。