| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的芯片尺寸封装，在半导体芯片(1)的主面上边形成缓和、吸收集中于突点电极(5)上的应力的低弹性的弹性体(2)，连接到键合焊盘(7)上的布线(4)通过形成在整个弹性体(2)上的贯通孔被引出到弹性体(2)的上表面上，并连接到突点电极(5)上。集中于突点电极(5)上的应力不仅被弹性体(2)吸收和缓和，也被引出到弹性体(2)的上表面上的用弯曲图形形成的布线(4)的伸缩吸收和缓和。 | ||
| 申请公布号 | CN1146976C | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
| 申请号 | CN97182428.2 | 申请日期 | 1997.10.30 |
| 申请人 | 株式会社日产制作所 | 发明人 | 宫本俊夫;安生一郎;有田顺一;江口州志;北野诚;久保征治;宗像健志;福田琢也 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L23/12;H01L23/498 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征是：在半导体晶片主面的多个芯片区域上形成的多个半导体器件和键合焊盘，在所述半导体器件和键合焊盘上形成的弹性体层，把突点电极连接到布线上，该布线的一个端部通过在上述弹性体层上形成了开孔的贯通孔与上述键合焊盘电连，另一个端部则配置到上述弹性体层的上部，上述弹性体层由涂敷到上述半导体晶片的主面上的感光性光刻胶，或者粘接到上述半导体晶片的主面上的感光性薄膜构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||