发明名称 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
摘要 高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极(1),红色发光单元(14),隧道结(9),由绿色发光单元(15)、蓝色发光单元(16)、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元(19)构成的下层芯片(17),n型电极(13),还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。
申请公布号 CN1490888A 申请公布日期 2004.04.21
申请号 CN03157152.2 申请日期 2003.09.17
申请人 北京工业大学 发明人 沈光地;郭霞;郭伟玲;高国;廉鹏;门伟钢;李建军;邹德恕;陈建新
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人 张慧
主权项 1、一种高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管,包括有依次纵向层叠的p型电极(1),红色发光单元,隧道结(9),由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片(17),n型电极(13),其特征在于,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。
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