发明名称 |
高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管 |
摘要 |
高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED),属于半导体光电子技术领域,涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极(1),红色发光单元(14),隧道结(9),由绿色发光单元(15)、蓝色发光单元(16)、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元(19)构成的下层芯片(17),n型电极(13),还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。本发明的发光二极管是一次电光转换,发光效率高,由于材料为半导体材料,比基于荧光粉的器件的可靠性高,寿命长,色度逼真。 |
申请公布号 |
CN1490888A |
申请公布日期 |
2004.04.21 |
申请号 |
CN03157152.2 |
申请日期 |
2003.09.17 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
沈光地;郭霞;郭伟玲;高国;廉鹏;门伟钢;李建军;邹德恕;陈建新 |
分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
1、一种高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管,包括有依次纵向层叠的p型电极(1),红色发光单元,隧道结(9),由绿色发光单元、蓝色发光单元、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元构成的下层芯片(17),n型电极(13),其特征在于,还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |