| 发明名称 |
GALLIUM NITRIDE BASED DIODES WITH LOW FORWARD VOLTAGE AND LOW REVERSE CURRENT OPERATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1410445(A2) |
申请公布日期 |
2004.04.21 |
| 申请号 |
EP20020798906 |
申请日期 |
2002.07.08 |
| 申请人 |
CREE, INC. |
发明人 |
PARIKH, PRIMIT;MISHRA, UMESH |
| 分类号 |
H01L29/20;H01L29/22;H01L29/47;H01L29/872;H01L29/88;(IPC1-7):H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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