发明名称 具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的集成存储器
摘要 集成存储器具有在矩阵形存储器单元阵列中带磁致电阻存储效应的存储器单元。它们分别连接到列线之一和行线之一之间。为了读出存储器单元的数据信号,列线分别与读出放大器连接。读出放大器具有带一个第一控制输入端的反馈运算放大器,此第一控制输入端与列线之一连接。一个电容器连接到运算放大器的一个第二控制输入端和参考电位的接头之间,通过此电容器实现运算放大器的控制输入端上偏移电压的平衡。
申请公布号 CN1146913C 申请公布日期 2004.04.21
申请号 CN01108947.4 申请日期 2001.03.02
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 T·施勒塞尔;R·特维斯
分类号 G11C11/02 主分类号 G11C11/02
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;张志醒
主权项 1.一种集成存储器,-具有带磁致电阻存储效应的存储器单元(MC),-具有矩阵形存储器单元阵列(1),此存储器单元阵列具有列线(BL)和行线(WL),-所述存储器的存储器单元(MC)分别连接到列线(BL)之一和行线(WL)之一之间,-所述存储器中的用于读出相应存储器单元(MC)的数据信号列线(BL)分别与读出放大器(2)连接,-所述存储器中的读出放大器(2)具有在其上可采集读出信号(OUT)的一个运算放大器(3),-所述存储器的运算放大器(3)的一个第—控制输入端(31)是与列线(BL)之一连接的,其特征在于,一个电容器(5)连接在所述运算放大器(3)的一个第二控制输入端(32)和参考电位(GND)的接头之间,用于补偿所述运算放大器(3)的偏移电压。
地址 联邦德国慕尼黑