| 发明名称 | 制造金属氧化物半导体晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 向半导体衬底中注入第一导电杂质离子，由此形成阱区，其上再形成栅极。向栅极两侧的阱区中注入第一非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成具有第一深度的第一沉淀区。向栅极两侧的阱区中注入第二非导电杂质离子，从而形成具有比第一深度相对浅的第二深度的源/漏区。向源/漏区中注入第二非导电杂质，以便控制其中的衬底缺陷，从而形成第二沉淀区。这种衬底缺陷如位错、扩展缺陷和堆垛层错同P-N结区隔离开，由此形成稳定P-N结。 | ||
| 申请公布号 | CN1146968C | 申请公布日期 | 2004.04.21 |
| 申请号 | CN99109412.3 | 申请日期 | 1999.06.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵昶贤;李美香;高宽协;河大元 |
| 分类号 | H01L21/331;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/331 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;余朦 |
| 主权项 | 1.一种制造金属氧化物半导体晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅极；向所述栅极两侧的所述半导体衬底中注入导电杂质离子，以形成源/漏区；和向所述源/漏区中注入非导电杂质，形成控制其中的衬底缺陷的沉淀区；其中所述非导电杂质是选自氧、碳和氮中的一种；以及所述非导电杂质的注入浓度大于1018原子/cm3。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||