| 发明名称 |
NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD WITH REDUCED BIT LINE CROSSTALK ERRORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003278899(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.19 |
| 申请号 |
AU20030278899 |
申请日期 |
2003.09.18 |
| 申请人 |
SANDISK CORPORATION |
发明人 |
RAUL-ADRIAN CERNEA;YAN LI |
| 分类号 |
G11C7/06;G11C11/56;G11C16/26;(IPC1-7):G11C7/06 |
主分类号 |
G11C7/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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