| 摘要 |
<p>Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenschutzfilm, welcher leicht von einer Silikonkautschukzusammensetzung-Haftschicht abgelöst werden kann, frei von Weichmachern oder dergleichen ist, was eine gegenteilige Wirkung auf die Haftung der Silikonkautschukzusammensetzung-Haftschicht an einen Halbleiterchip oder einen Halbleiterchip-Befestigungsabschnitt aufweisen kann, und der keine gegenteilige Wirkung auf die Dickeneinheitlichkeit oder Oberflächenebenheit der Silikonkautschukzusammensetzung-Haftschicht aufweist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. Insbesondere wird ein Oberflächenschutzfilm zum Schützen einer Silikonkautschukzusammensetzung-Haftschicht (C), umfassend einen Basisfilm (A), beschichtet auf mindestens einer Seite mit einer Harzschicht auf Cellulosebasis (B) mit einem SP-Wert von 21,0 bis 29,0 (MPa)·1/2·, bestimmt gemäß dem Fedors-Verfahren, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt.</p> |
