| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Kompensationsbauelement, bei dem ein lateraler Abschnitt und wenigstens an einem Ende des lateralen Abschnittes ein schräg zur Oberfläche verlaufender Abschnitt einer Driftstrecke mit n- und p-leitenden Gebieten (6, 5) vollständig in einen Halbleiterkörper (1) ohne Trench eingebettet sind. Dabei wird der schräg verlaufende Abschnitt durch Ionenimplantation durch eine Implantationsmaske (2) mit schräger Kante (4) vorgenommen. |
