Halbleiterwafer und ein entsprechendes Herstellungsverfahren

摘要

Vorgesehen sind ein Halbleiterwafer und sein Herstellungsverfahren, bei welchem das Stromsteuerungsvermögen eines MOS-Transistors hinreichend verbessert werden kann. Ein SOI-Schicht-Wafer, in dem eine SOI-Schicht (32) ausgebildet wird, hat eine in einer <100>-Kristallrichtung ausgebildete Einkerbung (32a) und eine in einer <110>-Kristallrichtung ausgebildete Einkerbung (32b). Der SOI-Schicht-Wafer und ein Trägersubstratwafer (1) werden so miteinander durch Bonden verbunden, dass die Einkerbung (32a) und eine in einer <110>-Kristallrichtung ausgebildete Einkerbung (1a) des Trägersubstratwafers (1) miteinander zusammenfallen. Wenn die zwei Wafer durch Bonden verbunden werden, indem die Einkerbung (32a) und die Einkerbung (1a) verwendet werden, um die zwei Wafer zu positionieren, kann die andere Einkerbung (32) des SOI-Schicht-Wafers mit einem Führungselement des Halbleiterwafer-Herstellungsgeräts in Eingriff kommen, um einen Positionierungsfehler aufgrund einer relativen Drehung zwischen den Wafern zu vermeiden. Somit kann ein MOS-Transistor mit einem hinreichend verbesserten Stromsteuerungsvermögen auf dem Halbleiterwafer gefertigt werden, wobei die zwei Wafer in Kristallrichtungen positioniert sind, die zueinander verschoben sind.